浙江氩气超高纯气体半导体制造

上海弥正针对 Chiplet（芯粒）先进封装技术，推出全流程超高纯气体解决方案，以 “低颗粒 + 高稳定性” 支撑芯片异构集成的精密工艺需求。方案覆盖倒装焊、键合、再分布层（RDL）制备等重心环节，提供的超高纯氮气、氩气、氢气等气体，颗粒物（≥0.1μm）含量≤10 个 /m³，纯度达 6N 级以上，完全满足封装工艺对微污染控制的严苛要求。在倒装焊工艺中，超高纯氮气作为保护气，能有效防止焊料氧化，提升焊接良率；在 RDL 制备的电镀与蚀刻环节，高纯度气体确保金属布线的精细度与导电性，助力实现高密度互联。提供 “瓶装 + 管道” 结合的灵活供应模式，适配 Chiplet 封装多批次、高精度的生产特点，并配备在线颗粒计数器与纯度监测仪，实时监控气体品质。某的先进封装企业应用该方案后，Chiplet 产品的键合良率从 95% 提升至 99.2%，RDL 线宽精度控制在 ±0.1μm 以内，封装密度提升 30%，有力推动了国产 Chiplet 技术的商业化落地。超高纯氘气（纯度 99.999%）用作核磁共振成像的造影气体。浙江氩气超高纯气体半导体制造

上海弥正精密仪器校准用超高纯标准混合气，以 “准确配比 + 高稳定性” 成为实验室分析、环境监测、工业检测等领域仪器校准的基准物质。该系列混合气基于超高纯单一气体（纯度≥99.999%）配制而成，可根据客户需求定制二元、三元及多元混合气，组分浓度范围从 1ppm 至 50%，配比精度达 ±1%，部分关键组分精度可达 ±0.1ppm。采用国际先进的静态重量法配制，每批次产品均通过气相色谱 - 质谱联用仪（GC-MS）、激光光谱等多种精密设备进行验证，确保浓度准确可靠，并提供国家计量认证（CMA）的检测报告，可溯源至国家基准物质。广泛应用于气相色谱仪、质谱仪、气体分析仪等精密仪器的日常校准与期间核查，有效保证检测数据的准确性与可靠性。某第三方检测机构使用该标准混合气后，环境中 VOCs（挥发性有机物）的检测误差从 ±5% 缩小至 ±1%；某化工企业用于在线气体分析仪校准，生产过程的工艺控制精度明显提升，产品合格率提高 3%。上海四氟化碳超高纯气体检测分析超高纯氟化氢（杂质≤0.1ppm）用于半导体晶圆清洗，去除表面污染物。

上海弥正针对不同芯片制程需求，提供电子级超高纯气体定制服务，从纯度等级、杂质控制到供应方式均实现准确适配。可根据客户工艺要求，定制 5N-9N 级不同纯度的气体产品，其中 7N 级以上超高纯气体金属杂质含量可控制在 0.001ppb 以下，完全满足 7nm 及以下先进制程的严苛要求。针对特定工艺环节，准确控制目标杂质含量，如光刻工艺用气体可将碳氢化合物杂质控制在 0.05ppb 以下，避免影响光刻精度；掺杂工艺用气体可准确调控掺杂元素浓度，确保芯片电性能稳定。提供 “瓶装 + 管道” 双供应模式，小批量生产采用高压气瓶供应，大批量连续生产采用管道输送，输送系统可与客户生产设备无缝对接。配备专业技术团队，提供工艺适配咨询、气体使用培训与设备调试服务，帮助客户优化气体使用方案。某先进制程芯片企业应用定制化气体后，芯片制程良率提升 3.5%，工艺调整周期缩短 40%，成为客户工艺升级的重心合作伙伴。

上海弥正超高纯乙硼烷（5N 级纯度），专为 FinFET、GAA（全环绕栅极）等先进晶体管结构的超浅结掺杂工艺设计，以 “超高纯度 + 准确控制” 突破芯片制程瓶颈。采用低温合成与精密吸附提纯技术，将杂质含量控制在极低水平，其中磷、砷等杂质含量≤5ppt，水分含量≤10ppb，满足 5nm 及以下先进制程对超浅结掺杂的严苛要求。在超浅结掺杂中，它能提供高浓度的硼离子，实现对半导体材料的准确、浅度掺杂，形成高性能的 P 型半导体层，其纯度与稳定性直接影响结深控制精度与器件的阈值电压，对提升晶体管开关性能至关重要。提供定制化的稀释与输送方案，可根据客户工艺需求，将乙硼烷准确稀释至 1-100ppm 的标准混合气，采用不锈钢管道输送，配备在线浓度监测与自动报警系统，确保掺杂过程准确可控。某专注于先进制程的芯片设计与制造企业应用后，GAA 晶体管的阈值电压波动范围缩小至 ±0.02V，开关电流提升 20%，成功实现 5nm 制程芯片的稳定量产。超高纯四氟化碳（纯度 99.999%）适配等离子刻蚀，保障芯片图形精度。

上海弥正氢能燃料电池全产业链超高纯气体解决方案，覆盖燃料电池电堆、系统及整车制造全流程，以 “高纯度 + 低有害杂质” 保障燃料电池的性能与寿命。方案重心气体包括燃料电池车动力源 —— 超高纯氢气（纯度 99.999%），以及用于电堆生产的超高纯氮气、氩气。其中，超高纯氢气中一氧化碳、硫化物等有害杂质含量≤0.1ppb，可有效避免燃料电池催化剂中毒，延长电堆寿命；在电堆的膜电极制备与双极板焊接环节，超高纯惰性气体作为保护气，确保产品质量稳定。提供从车载储氢瓶用气体到生产工艺用气体的一站式供应，并配备氢气纯度在线监测与纯化设备，为加氢站提供纯度保障。某头部燃料电池企业应用该方案后，其电堆的峰值功率密度提升 15%，循环寿命突破 10000 小时；某加氢站采用其氢气纯化设备后，输出氢气纯度稳定在 99.999% 以上，完全符合国家 GB/T 37244-2018 标准。超高纯二氧化碳纯度达 99.995%，适配食品冷链与激光焊接保护。氦气超高纯气体光纤生产

超高纯氢气用于燃料电池，纯度≥99.999% 确保电池高效稳定运行。浙江氩气超高纯气体半导体制造

上海弥正针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体制造，打造专属超高纯气体解决方案，以 “适配宽禁带特性 + 准确工艺控制” 助力功率器件与射频器件量产。方案涵盖超高纯氨气、硅烷、氢气、氩气等重心气体，其中用于 GaN 外延生长的超高纯氨气纯度达 7N 级，金属杂质含量≤0.01ppb；用于 SiC 刻蚀的超高纯氟化物气体纯度达 6N 级，确保材料刻蚀的准确度与表面质量。第三代半导体材料具有耐高温、耐高压、高频的特性，对气体纯度与杂质控制要求远高于传统硅基半导体，该方案通过准确控制氧、碳、金属等杂质含量，有效减少外延层缺陷，提升器件的击穿电压与可靠性。提供外延生长、离子注入、刻蚀、退火等全工艺环节的气体组合，并配备工艺适配团队，协助客户优化气体流量、压力等工艺参数。某专注于 SiC 功率器件的企业应用该方案后，外延片的缺陷密度从 10³cm⁻² 降至 10²cm⁻² 以下，器件的击穿电压提升 20%，成功实现车规级 SiC MOSFET 的稳定量产。浙江氩气超高纯气体半导体制造

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