RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在半导体设备维护中的经济效益统计数据显示,采用RPS远程等离子源进行预防性维护,可将PECVD设备平均无故障时间延长至2000小时,维护成本降低40%。在刻蚀设备中,RPS远程等离子源将清洁周期从50批次延长至200批次,备件更换频率降低60%。某晶圆厂年度报告显示,各方面 采用RPS远程等离子源后,设备综合效率提升15%,年均节约维护费用超500万元。RPS远程等离子源在科研领域的多功能平台RPS远程等离子源模块化设计支持快速更换反应腔室,可适配从基础研究到中试生产的各种需求。通过配置多种气体入口和功率调节系统,功率调节范围覆盖100-5000W,适用基底尺寸从2英寸到300mm。在材料科学研究中,RPS远程等离子源实现了石墨烯无损转移、碳纳米管定向排列等前沿应用,助力发表SCI论文200余篇。用于气体传感器敏感薄膜的沉积后处理。山东晟鼎RPS哪个好

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对于GaN、SiC等化合物半导体和MEMS传感器等精密器件,传统的等离子体工艺因其高能离子轰击和热效应容易造成器件性能的不可逆损伤。RPS远程等离子源应用领域在此提供了低损伤、高精度的解决方案。在GaN HEMT器件的制造中,RPS可用于栅极凹槽的刻蚀预处理或刻蚀后残留物的清理 ,其低离子能量特性确保了AlGaN势垒层和二维电子气(2DEG)不受损伤,从而维持了器件的高跨导和频率特性。在MEMS制造中,关键的步骤是层的释放,以形成可活动的微结构。RPS远程等离子源能够使用氟基或氧基自由基,温和且均匀地刻蚀掉结构下方的氧化硅或聚合物层,避免了因“粘附效应”(Stiction)导致的结构坍塌,极大地提升了MEMS陀螺仪、加速度计和麦克风的良品率和可靠性。重庆RPS哪家好在文化遗产保护中实现文物无损清洁。

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RPS远程等离子源如何应对高深宽比结构的清洗挑战:在半导体制造中,高深宽比结构(如深孔或沟槽)的清洗极为困难,传统方法难以渗透。RPS远程等离子源通过其高扩散性的自由基,能够深入微观结构,均匀去除残留物。例如,在3D NAND闪存制造中,RPS远程等离子源可用于蚀刻间隔层或清理 蚀刻副产物,而不导致结构坍塌。其精确的化学控制避免了过度刻蚀,确保了关键尺寸的完整性。随着器件结构日益复杂,RPS远程等离子源成为实现下一代技术的关键赋能工具。

三维NAND闪存堆叠层数的不断增加,对刻蚀后高深宽比结构的清洗带来了巨大挑战。其深孔或深沟槽底部的刻蚀残留物(如聚合物)若不能彻底清理 ,将严重影响后续多晶硅或钨填充的质量,导致电荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS远程等离子源应用领域展现出其独特优势。由于等离子体在远程生成,其主要产物是电中性的自由基,这些自由基具有较好的扩散能力,能够无阻碍地深入深宽比超过60:1的结构底部,与残留物发生化学反应并将其转化为挥发性气体排出。相较于直接等离子体,RPS技术避免了因离子鞘层效应导致的清洗不均匀问题,确保了从结构顶部到底部的均匀清洁,且不会因离子轰击造成结构侧壁的物理损伤。这使得RPS远程等离子源应用领域成为3D NAND制造中实现高良率、高可靠性的主要 技术之一。与传统等离子体源不同的是,RPS 通常不直接接触要处理的表面,而是在一定距离之外产生等离子体。

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在薄膜沉积工艺(如PVD、CVD)中,腔室内壁会逐渐积累残留膜层,这些沉积物可能由聚合物、金属或氧化物组成。随着工艺次数的增加,膜层厚度不断增长,容易剥落形成颗粒污染物,导致器件缺陷和良品率下降。RPS远程等离子源通过非接触式清洗方式,将高活性自由基(如氧自由基或氟基自由基)引入腔室,与残留物发生化学反应,将其转化为挥发性气体并排出。这种方法不仅避免了机械清洗可能带来的物理损伤,还能覆盖复杂几何结构,确保清洗均匀性。对于高级 CVD设备,定期使用RPS远程等离子源进行维护,可以明显 减少工艺中断和缺陷风险,延长设备寿命。为量子计算超导电路提供无损伤表面清洁。安徽推荐RPS光伏设备清洗

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随着3D NAND堆叠层数突破500层,深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力,可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数,在保持刻蚀选择比大于100:1的同时,将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后,将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%,单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中,RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性(<150℃)有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀,实现了GaN材料的各向异性刻蚀,侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级,明显 提升了器件跨导和截止频率。山东晟鼎RPS哪个好

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