东莞市晟鼎精密仪器有限公司的RPS远程等离子体源，在光伏电池钝化工艺中实现重大突破，助力光伏产业提升发电效率。钝化工艺是提升光伏电池开路电压与填充因子的关键环节，RPS通过精细控制等离子体参数，在电池表面形成高质量钝化层，有效减少载流子复合。与传统钝化技术相比，RPS处理后的钝化层均匀性更好，表面态密度降低30%以上，使电池转换效率提升0.5%-1%。RPS支持大尺寸硅片加工，可适配182mm、210mm等主流硅片规格，单台设备每小时可处理2000片以上硅片，满足光伏产业量产需求。在成本控制方面，RPS通过优化气体配比与能量利用，使单位硅片处理成本降低15%。目前，该RPS钝化方案已被多家光伏企业采用，成为提升光伏电池性能的中心RPS装备。RPS避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤。湖南半导体设备RPS
RPS远程等离子源在先进封装中的解决方案针对2.5D/3D封装中的硅通孔（TSV）工艺，RPS远程等离子源提供了完整的清洗方案。在深硅刻蚀后，采用SF6/O2远程等离子体去除侧壁钝化层，同时保持铜导线的完整性。在芯片堆叠键合前，通过H2/N2远程等离子体处理，将晶圆表面氧含量降至0.5at%以下，明显 改善了铜-铜键合强度。某封测厂应用数据显示，RPS远程等离子源将TSV结构的接触电阻波动范围从±15%收窄至±5%。RPS远程等离子源在MEMS器件释放工艺中的突破MEMS器件无偿 层释放是制造过程中的关键挑战。RPS远程等离子源采用交替脉冲模式，先通过CF4/O2远程等离子体刻蚀氧化硅无偿 层，再采用H2/N2远程等离子体钝化结构层。这种时序控制将结构粘附发生率从传统工艺的12%降至0.5%以下。在惯性传感器制造中，RPS远程等离子源实现了200:1的高深宽比结构释放，确保了微机械结构的运动自由度。湖南半导体设备RPS射频电源在声学器件制造中提升谐振性能。
东莞市晟鼎精密仪器有限公司的 RPS 定位技术，为工业物联网提供了精细的数据采集支撑，助力工业智能化升级。在工业生产场景中，RPS 可实时定位生产设备、物料、人员的位置信息，将数据上传至工业物联网平台，实现生产过程的可视化管理。RPS 定位数据与生产数据融合分析，可优化生产流程，提高生产效率；通过监测设备位置与状态，可实现设备的预防性维护，减少故障停机时间。RPS 定位系统具备低功耗、广覆盖的特点，可适应工业车间的复杂环境；支持多设备同时定位，满足大规模工业场景的应用需求。该 RPS 工业物联网解决方案已应用于智能工厂、智能制造园区等场景，成为工业物联网数据采集的中心 RPS 技术工具。
晟鼎远程等离子体电源RPS的应用类型：1.CVD腔室清洁①清洁HDP-CVD腔（使用F原子）②清洁PECVD腔（使用F原子）③清洁Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清洁WCVD腔（使用F原子）2.表面处理、反应性刻蚀和等离子体辅助沉积①通过反应替代 （biao面氧化）进行表面改性②辅助PECVD③使用预活化氧气和氮气辅助低压反应性溅射沉积④使用预活化氧气和氮气进行反应性蒸发沉积⑤等离子体增强原子层沉积（PEALD）3.刻蚀：①灰化（除去表面上的碳类化合物）；②使用反应性含氧气体粒子处理光刻胶。晟鼎RPS有主动网络匹配技术:可对不同气体进行阻抗匹配，使得等离子腔室获得能量。
RPS远程等离子源采用独特的空间分离设计，将等离子体激发区与工艺处理区物理隔离。在激发腔内通过射频电源将工艺气体（如O2、CF4、N2等）电离形成高密度等离子体，而长寿命的活性自由基则通过输运系统进入反应腔室。这种设计使得RPS远程等离子源能够在不直接接触工件的情况下，实现表面清洗、刻蚀和活化等工艺。在半导体前端制造中，RPS远程等离子源特别适用于栅极氧化前的晶圆清洗，能有效去除有机残留和金属污染物，同时避免栅氧层损伤。其自由基浓度可稳定控制在1010-1012/cm³范围，确保工艺重复性优于±2%。使用工艺气体三氟化氮（NF3）/O2，在交变电场和磁场作用下，原材料气体会被解离，从而释放出自由基。福建国产RPS冗余电源
RPS远程等离子源是一款基于电感耦合等离子体技术的自成一体的原子发生器。湖南半导体设备RPS
RPS远程等离子源在功率器件制造中的关键技术在IGBT模块制造中，RPS远程等离子源通过优化清洗工艺，将芯片贴装空洞率从5%降至0.5%以下。采用H2/Ar远程等离子体在380℃条件下活化DBC基板表面，使焊料铺展率提升至98%。在SiCMOSFET制造中，RPS远程等离子源实现的栅氧界面态密度达2×1010/cm²·eV，使器件导通电阻降低15%，开关损耗改善20%。RPS远程等离子源在射频器件制造中的精密控制针对5G射频滤波器制造，RPS远程等离子源开发了温度可控的刻蚀工艺。在BAW滤波器生产中，通过Ar/Cl2远程等离子体将氮化铝压电层的刻蚀均匀性控制在±1.5%以内，谐振频率偏差<0.02%。在GaN射频器件制造中，RPS远程等离子源将表面损伤层厚度控制在1.5nm以内，使器件截止频率达到120GHz，输出功率密度提升至6W/mm。湖南半导体设备RPS
