导电银浆烧结银膏

烧结银膏以纳米级银粉为主体，粒径较小，提供超高导电性与导热性能。纳米银颗粒的高比表面积使其在烧结过程中能够实现快速固态扩散，形成致密的金属连接层。高纯度银粉确保了材料的本征导电特性，电阻率接近纯银水平。有机载体系统包含溶剂、粘结剂及分散剂，帮助纳米颗粒均匀分散并维持膏体稳定性。微量添加剂如抗氧化剂可防止银粉在储存和加工过程中氧化，保证烧结质量的一致性。这种材料组成设计使烧结银膏在电子封装领域展现出出色的性能表现，成为高功率器件互连的优先选择材料方案。聚峰 JF-PMAg02 烧结银膏可直接烧结裸铜表面，省去镀银工序，降低封装成本。导电银浆烧结银膏

烧结纳米银膏依托国内自主研发的纳米合成与烧结技术，实现性能对标全球前列产品，打破了长期以来国外厂商在烧结银材料领域的垄断。其国产化供应不仅降低了半导体封装材料的采购成本，还保证了供应链的自主可控，解决了关键材料 “卡脖子” 问题。凭借稳定的性能与本土化服务，为国内半导体、新能源等产业提供了稳定可靠的封装材料方案，助力国内电子制造产业的自主发展，推动电子材料国产化进程，提升我国在全球电子材料领域的竞争力。导电银浆烧结银膏烧结纳米银膏在 200℃左右即可完成烧结，适配柔性基板与热敏元件封装场景。

聚峰烧结银膏能够同时适配铜基板与AMB陶瓷基板的异质界面互连需求。铜基板具有较好的导电和导热性能，但表面易氧化生成疏松的氧化铜层。AMB陶瓷基板表面通常覆有铜箔，通过活性金属钎焊工艺与氮化硅或氮化铝陶瓷结合。两种基板的热膨胀系数差异较大，铜约为17ppm/K，而氮化铝陶瓷约为4.5ppm/K。聚峰烧结银膏的烧结层具备一定的塑性变形能力，可以吸收热循环产生的剪切应变。在互连工艺中，银膏首先通过丝网印刷或点胶方式涂覆在两种基板表面，然后进行预干燥去除低沸点溶剂。贴装芯片后进行分段升温烧结，银膏在两种材料界面形成均匀过渡层。聚峰烧结银膏对不同表面处理状态的基板表现出良好的润湿性，无论是裸铜还是化学镀镍钯金表面均可直接使用。这为混合封装结构提供了简洁的材料体系。

聚峰烧结银膏针对 SiC、GaN 等宽禁带功率器件的特性专项研发，匹配其高功率、高频率、耐高温的工作需求。该材料凭借超高导热率与优异的高温稳定性，能导出器件工作时产生的大量热量，解决大功率运行下的散热瓶颈；同时以界面连接，保证器件在高频、高负载工况下的电气与机械稳定性。其专为宽禁带器件优化的配方，能充分发挥 SiC、GaN 器件的性能优势，助力新能源汽车、智能电网等领域的功率器件向更高功率、更高效率方向发展，成为宽禁带半导体封装的关键支撑材料。聚峰烧结银膏烧结层致密度高、孔隙率低，剪切强度优异，满足车规级与航空航天可靠性要求。

纳米烧结银膏是实现功率器件双面散热（DSC）技术的关键材料，为提升模块性能开辟了新路径。传统单面散热结构热阻高、功率密度受限，而双面散热技术通过在芯片上下两面均采用烧结银膏连接，构建了双向散热通道。纳米烧结银膏凭借其超薄、高导热的连接层，将模块整体热阻降低约 30%，同时降低寄生电感约 70%。这一系列性能提升直接转化为功率密度的大幅跃升（约 40%），使得在相同体积内可以集成更多芯片，或实现更高的输出功率。该技术已在 SiC/GaN 功率模块中得到广泛应用，有力推动了电力电子设备向更小、更轻、更强的方向发展。聚峰烧结银膏对陶瓷、铜、铝等基材润湿优异，烧结层无气泡分层，封装良率高。导电银浆烧结银膏

聚峰烧结银膏兼容金、银、铜、镍等多种金属界面，应用场景灵活。导电银浆烧结银膏

纳米银膏的低温烧结特性使其能兼容柔性塑料、超薄金属等柔性基板，避免高温对柔性基材的损伤，适配柔性电子、可穿戴设备等领域的封装需求。其可通过丝网印刷、点胶等工艺实现精细化图形化制备，线宽精度达 ±3μm，助力器件微型化、轻薄化设计。在折叠屏手机、柔性传感器等产品中，能实现弯曲、拉伸状态下的稳定导电与连接，保障柔性器件的功能完整性，为柔性电子产业的发展提供了关键的封装材料支撑，拓展了电子器件的应用形态与场景。导电银浆烧结银膏