南京基片封装烧结银膏

性能高可靠银烧结材料，适用于高要求应用场景。能够解决传统焊料热导率不足问题，提升散热效率；降低界面孔隙率，提高器件可靠性与寿命；应对高功率器件高温失效问题；改善长时间印刷过程中的稳定性与一致性问题；满足半导体封装对高导电、高导热双重需求。广泛应用于光伏、新能源车辆、高铁、风力发电、充电桩等应用场景。同时适用于IGBT模块、SiC功率器件等对散热性能和连接可靠性要求极高的封装场景，满足长期高温高负载运行环境下的稳定性需求。烧结纳米银膏无铅无卤素，符合 RoHS 标准，绿色，完美替代传统含铅焊料。南京基片封装烧结银膏

烧结纳米银膏在-55℃至250℃的宽幅热循环测试中，经过1000次循环后电阻变化率仍低于5%。热循环测试模拟电子模块在实际工作中经历的开关机温度波动。测试设备将样品交替暴露于低温舱与高温舱，每个极端温度保温15分钟，转换时间不超过1分钟。烧结纳米银膏形成的连接层具有与银相近的线膨胀系数，约19ppm/K，与硅芯片的2.6ppm/K存在差异但可通过银膏的微结构释放应力。热循环过程中，连接层内部可能萌生微裂纹，裂纹扩展会截断电子路径导致电阻上升。烧结纳米银膏的纳米银颗粒烧结后形成细晶，晶粒尺寸约200至500纳米，细晶有助于分散热应力。5%的电阻变化率是行业公认的合格阈值，超出此范围意味着互连可靠性下降。对比测试显示，相同条件下的锡银铜焊料在500次循环后电阻变化率已超过20%。烧结纳米银膏的低电阻漂移特性使其适合安装在发动机舱或卫星轨道等温差剧烈环境。南京5G烧结纳米银膏聚峰烧结纳米银膏适配 SiC/GaN 器件，助力功率模块散热，提升长期运行稳定性。

烧结银膏的长期可靠性已通过严苛的行业测试验证，成为高可靠应用的优先选择材料。在 175℃的高温加速老化测试中，采用烧结银膏连接的功率模块经历 5000 次完整的功率循环后，其连接界面依然保持完好，剪切强度仍能维持初始值的 90% 以上。这一数据远优于传统焊料，后者在同等条件下往往会因界面金属间化合物过度生长、热疲劳裂纹扩展而导致强度急剧下降。这种优良的抗老化与抗热循环能力，使得烧结银膏在对寿命与稳定性有很高要求的领域，如汽车电子、工业、航空航天等，成为系统安全、稳定运行的不可或缺的关键封装材料。

聚峰烧结银膏能够同时适配铜基板与AMB陶瓷基板的异质界面互连需求。铜基板具有较好的导电和导热性能，但表面易氧化生成疏松的氧化铜层。AMB陶瓷基板表面通常覆有铜箔，通过活性金属钎焊工艺与氮化硅或氮化铝陶瓷结合。两种基板的热膨胀系数差异较大，铜约为17ppm/K，而氮化铝陶瓷约为4.5ppm/K。聚峰烧结银膏的烧结层具备一定的塑性变形能力，可以吸收热循环产生的剪切应变。在互连工艺中，银膏首先通过丝网印刷或点胶方式涂覆在两种基板表面，然后进行预干燥去除低沸点溶剂。贴装芯片后进行分段升温烧结，银膏在两种材料界面形成均匀过渡层。聚峰烧结银膏对不同表面处理状态的基板表现出良好的润湿性，无论是裸铜还是化学镀镍钯金表面均可直接使用。这为混合封装结构提供了简洁的材料体系。聚峰有压烧结银膏剪切强度高，抗震动耐老化，适配车规 SiC 与新能源功率模块。

聚峰烧结银膏针对 SiC、GaN 等宽禁带功率器件的特性专项研发，匹配其高功率、高频率、耐高温的工作需求。该材料凭借超高导热率与优异的高温稳定性，能导出器件工作时产生的大量热量，解决大功率运行下的散热瓶颈；同时以界面连接，保证器件在高频、高负载工况下的电气与机械稳定性。其专为宽禁带器件优化的配方，能充分发挥 SiC、GaN 器件的性能优势，助力新能源汽车、智能电网等领域的功率器件向更高功率、更高效率方向发展，成为宽禁带半导体封装的关键支撑材料。聚峰烧结银膏适配 SiC/GaN 等宽禁带半导体，助力第三代器件高密度互连封装。南京5G烧结纳米银膏

纳米烧结银膏采用超细纳米银粉体配制，低温即可实现冶金结合，适用于功率器件封装互连。南京基片封装烧结银膏

烧结银膏正深度赋能 AI 服务器与新能源汽车电控系统，解决其高功率密度带来的散热与互联挑战。在 AI 服务器中，GPU 与高性能计算芯片功耗巨大，对散热与供电稳定性要求极高。烧结银膏作为关键的热界面与连接材料，能很快导出芯片热量，降低结温，减少数据传输错误，让服务器的稳定运行。在新能源汽车领域，电机控制器等部件的功率密度不断提升，传统封装材料已难以满足需求。烧结银膏凭借其耐高温、高导热、高可靠的特性，完美适配 SiC 功率模块的封装需求，提升了电控系统的效率与寿命，为新能源汽车的续航与性能提升提供了关键的材料支撑。南京基片封装烧结银膏