山西晶圆级陶瓷加热盘

国瑞热控清洗槽**加热盘以全密封结构设计适配高洁净需求，采用316L不锈钢经电解抛光处理，表面粗糙度Ra小于0.05μm，无颗粒脱落风险！加热元件采用氟塑料密封封装，与清洗液完全隔离，耐受酸碱浓度达90%的腐蚀环境，电气强度达2000V/1min！通过底部波浪形加热面设计，使槽内溶液形成自然对流，温度均匀性达±0.8℃，温度调节范围25℃-120℃！配备防干烧与泄漏检测系统，与盛美上海等清洗设备厂商适配，符合半导体制造Class1洁净标准，为晶圆清洗后的表面质量提供保障！专业热仿真分析，优化热场分布设计，确保加热效果均匀。山西晶圆级陶瓷加热盘

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺，采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构，表面粗糙度Ra小于0.1μm，减少光刻胶涂布缺陷！加热面划分6个**温控区域，通过仿真优化的加热元件布局，使温度均匀性达±0.5℃，避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均！温度调节范围覆盖60℃至150℃，升温速率10℃/分钟，搭配无接触红外测温系统，实时监测晶圆表面温度并动态调节！设备兼容6英寸至12英寸光刻机配套需求，与ASML、尼康等设备的制程参数匹配，为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境！探针测试加热盘表面特殊处理，耐腐蚀易清洁，适用化学食品领域。

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配“固-液-固”相变生长工艺！采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在1:1！加热面温度均匀性控制在±0.5℃，升温速率可低至0.5℃/分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境！设备支持5厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达3纳米硅基芯片的3倍！

针对等离子体刻蚀环境的特殊性，国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构，表面硬度达莫氏9级，可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落！加热盘内部嵌入钼制加热丝，经后嵌工艺固定，避免高温下电极氧化影响加热性能，工作温度范围覆盖室温至500℃，控温精度±1℃！底部设计环形冷却通道，与加热元件形成热平衡调节系统，快速响应刻蚀过程中的温度波动！设备采用全密封结构，电气强度达2000V/1min，在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定，适配中微半导体刻蚀机等主流设备，为图形转移工艺提供可靠温控！热响应速度快，快速达温稳定，减少等待时间提升效率。

针对12英寸及以上大尺寸晶圆的制造需求，国瑞热控大尺寸半导体加热盘以创新结构设计实现高效温控！产品采用多模块拼接式结构，单模块加热面积可达1500cm²，通过标准化接口可灵活组合成更大尺寸加热系统，适配不同产能的生产线需求！每个模块配备**温控单元，通过**控制系统协同工作，确保整个加热面温度均匀性控制在±1.5℃以内！采用轻量化**度基材，在保证结构稳定性的同时降低设备重量，便于安装与维护！表面经精密加工确保平整度，与大尺寸晶圆完美贴合，减少热传导损耗，为先进制程中大规模晶圆的均匀加热提供可靠解决方案！特殊尺寸功率定制，快速响应需求，量身打造方案。无锡探针测试加热盘生产厂家

高效稳定耐用三大优势，国瑞加热盘经得起时间考验。山西晶圆级陶瓷加热盘

国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配RTP工艺需求，采用红外辐射与电阻加热复合技术，升温速率突破50℃/秒，可在数秒内将晶圆加热至1000℃以上！加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质，搭配多组**温控模块，通过PID闭环控制实现温度快速调节，降温速率达30℃/秒，有效减少热预算对晶圆性能的影响！表面喷涂抗热震涂层，可承受反复快速升降温循环而无开裂风险，使用寿命超20000次循环！设备集成温度实时监测系统，与应用材料Centura、东京电子Trias等主流炉管设备兼容，为先进制程中的离子***、缺陷修复工艺提供可靠支持！山西晶圆级陶瓷加热盘

无锡市国瑞热控科技有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在江苏省等地区的电工电气中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，**协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来无锡市国瑞热控科技供应和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！