国瑞热控半导体测试用加热盘,专为芯片性能测试环节的温度环境模拟设计,可精细复现芯片工作时的温度条件!设备温度调节范围覆盖-40℃至150℃,支持快速升温和降温,速率分别达25℃/分钟和20℃/分钟,能模拟不同工况下的温度变化!加热盘表面采用柔性导热垫层,适配不同厚度的测试芯片,确保热量均匀传递至芯片表面,温度控制精度达±0.5℃!配备可编程温度控制系统,可预设多段温度曲线,满足长时间稳定性测试需求!设备运行时无电磁场干扰,避免对测试数据产生影响,同时具备过温、过流双重保护功能,为半导体芯片的性能验证与质量检测提供专业温度环境!紧凑设计节省空间,输出热量强大均匀,受限环境理想选择。杨浦区陶瓷加热盘

国瑞热控金属加热盘突破海外技术壁垒,实现复杂结构产品量产能力!采用不锈钢精密加工一体化成型,通过五轴联动机床制造螺纹斜孔等复杂结构,加热面粗糙度Ra小于0.1μm!内置螺旋状不锈钢加热元件,经真空焊接工艺与基体紧密结合,热效率达90%,升温速率25℃/分钟,工作温度范围室温至500℃!设备具备1000小时无故障运行能力,通过国内主流客户认证,可直接替换进口同类产品,在匀气盘集成等场景中表现优异,助力半导体设备精密零部件国产化!徐州晶圆级陶瓷加热盘定制结构紧凑安装便捷,集成多重安全保护机制,使用放心无后顾之忧。

针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递!加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达30W/mK,可在30秒内将晶圆温度提升至900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤!表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准!配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过PID闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于±1℃!适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障!
国瑞热控8英寸半导体加热盘聚焦成熟制程需求,以高性价比与稳定性能成为中低端芯片制造的推荐!采用铝合金基体经阳极氧化处理,表面平整度误差小于0.03mm,加热面温度均匀性控制在±2℃以内,满足65nm至90nm制程的温度要求!内部采用螺旋状镍铬加热丝,热效率达85%以上,升温速率15℃/分钟,工作温度上限450℃,适配CVD、PVD等常规工艺!设备配备标准真空吸附接口与温控信号端口,可直接替换ULVAC、Evatec等国际品牌同规格产品,安装无需调整现有生产线布局!通过1000小时高温老化测试,故障率低于0.1%,为功率器件、传感器等成熟制程芯片制造提供稳定支持!高效电热转换效率,降低运营成本,实现绿色生产目标。

国瑞热控半导体封装加热盘,聚焦芯片封装环节的加热需求,为键合、塑封等工艺提供稳定热源!采用铝合金与云母复合结构,兼具轻质特性与优良绝缘性能,加热面功率密度可根据封装规格调整,比较高达2W/CM²!通过优化加热元件排布,使封装区域温度均匀性达95%以上,确保焊料均匀熔融与键合强度稳定!设备配备快速响应温控系统,从室温升至250℃*需8分钟,且温度波动小于±2℃,适配不同封装材料的固化需求!表面采用防氧化处理,使用寿命超30000小时,搭配模块化设计,可根据封装生产线布局灵活组合,为半导体封装的高效量产提供支持!模块化设计,便于维护更换,减少停机提升产能。奉贤区刻蚀晶圆加热盘
均匀热场分布,避免局部过热,保护敏感样品工艺质量。杨浦区陶瓷加热盘
在半导体离子注入工艺中,国瑞热控配套加热盘以稳定温控助力掺杂浓度精细控制!其采用耐高温合金基材,经真空退火处理消除内部应力,可在400℃高温下长期稳定运行而不变形!加热盘表面喷涂绝缘耐离子轰击涂层,避免电荷积累对注入精度的干扰,同时具备优良的导热性能,能快速将晶圆预热至设定温度并保持恒定!设备配备双路温度监测系统,分别监控加热元件与晶圆表面温度,当出现偏差时自动启动调节机制,温度控制精度达±1℃!适配不同型号离子注入机,通过标准化接口实现快速安装,为半导体掺杂工艺的稳定性与重复性提供有力支持!杨浦区陶瓷加热盘
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递!加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达30W/mK,可在30秒内将晶圆温度提升至900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤!表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准!配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过PID闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于±1℃!适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障!工...