闵行区陶瓷加热盘定制

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配“固-液-固”相变生长工艺！采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在1:1！加热面温度均匀性控制在±0.5℃，升温速率可低至0.5℃/分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境！设备支持5厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达3纳米硅基芯片的3倍！优化散热结构设计，表面温度均匀一致，避免局部过热现象。闵行区陶瓷加热盘定制

国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺，开发**加热盘适配MOCVD设备需求！采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层，在1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配，避免衬底开裂风险，热导率达150W/mK，确保热量均匀传递至衬底表面！内部设计8组**加热模块，通过PID精密控制实现±0.5℃的控温精度，精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口（1050℃-1150℃）！设备配备惰性气体导流通道，减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷，与中微公司MOCVD设备联合调试，使外延层厚度均匀性误差控制在3%以内，为5G射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持！四川探针测试加热盘定制远程监控功能可选，实时掌握设备状态，智能便捷管理。

国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以99.5%高纯氮化铝为基材，通过干压成型与1800℃高温烧结工艺制成，完美适配半导体高温工艺需求！其热导率可达220W/mK，热膨胀系数*4.03×10⁻⁶/℃，与硅晶圆热特性高度匹配，有效避免高温下因热应力导致的晶圆翘曲！内部嵌入钨制加热元件，经共烧工艺实现紧密结合，加热面温度均匀性控制在±1℃以内，工作温度上限提升至800℃，远超传统铝合金加热盘的450℃极限！表面经精密研磨抛光处理，平面度误差小于0.01mm，可耐受等离子体长期轰击无损伤，在晶圆退火、氧化等高温工艺中表现稳定，为国产替代提供高性能材质解决方案！

国瑞热控8英寸半导体加热盘聚焦成熟制程需求，以高性价比与稳定性能成为中低端芯片制造的推荐！采用铝合金基体经阳极氧化处理，表面平整度误差小于0.03mm，加热面温度均匀性控制在±2℃以内，满足65nm至90nm制程的温度要求！内部采用螺旋状镍铬加热丝，热效率达85%以上，升温速率15℃/分钟，工作温度上限450℃，适配CVD、PVD等常规工艺！设备配备标准真空吸附接口与温控信号端口，可直接替换ULVAC、Evatec等国际品牌同规格产品，安装无需调整现有生产线布局！通过1000小时高温老化测试，故障率低于0.1%，为功率器件、传感器等成熟制程芯片制造提供稳定支持！独特加热元件设计，热效率大幅提升，节能环保同时保证长期稳定运行。

国瑞热控半导体封装加热盘，聚焦芯片封装环节的加热需求，为键合、塑封等工艺提供稳定热源！采用铝合金与云母复合结构，兼具轻质特性与优良绝缘性能，加热面功率密度可根据封装规格调整，比较高达2W/CM²！通过优化加热元件排布，使封装区域温度均匀性达95%以上，确保焊料均匀熔融与键合强度稳定！设备配备快速响应温控系统，从室温升至250℃*需8分钟，且温度波动小于±2℃，适配不同封装材料的固化需求！表面采用防氧化处理，使用寿命超30000小时，搭配模块化设计，可根据封装生产线布局灵活组合，为半导体封装的高效量产提供支持！快速交付承诺，标准产品现货供应，定制产品周期短响应快。普陀区晶圆加热盘非标定制

精选耐高温材料，绝缘性能优异，确保使用安全万无一失。闵行区陶瓷加热盘定制

国瑞热控12英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计，采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材，通过多道精密研磨工艺，使加热面平面度误差控制在0.015mm以内，完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求！内部采用分区式加热元件布局，划分8个**温控区域，配合高精度铂电阻传感器，实现±0.8℃的控温精度，满足7nm至14nm制程对温度均匀性的严苛要求！设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式，适配不同类型的反应腔结构，升温速率达20℃/分钟，工作温度范围覆盖室温至600℃，可兼容PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺！通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作，已实现与国产12英寸晶圆生产线的无缝对接，为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑！闵行区陶瓷加热盘定制

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