RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

在OLED和LCD显示面板的制造中,玻璃基板或聚酰亚胺薄膜基板的尺寸越来越大,对清洗和刻蚀工艺的均匀性提出了极高要求。RPS远程等离子源应用领域在这一场景下优势明显。由于其等离子体均匀性不受基板尺寸限制,活性自由基能够均匀地分布在整个大尺寸面板表面,实现无死角的彻底清洁。在OLED制造中,用于去除基板表面的微量有机物和颗粒,确保TFT背板和OLED发光层的质量;在柔性显示中,用于对PI基板进行表面活化,增强后续薄膜的附着力。此外,在显示面板的薄膜晶体管阵列制程中,RPS技术也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低温、低损伤刻蚀,确保了数百万个TFT性能的高度一致,从而保障了显示画面的均匀性和低坏点率。在存储芯片制造中提升介质层可靠性。上海远程等离子源处理cvd腔室RPS石英舟腔体清洗

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RPS远程等离子源是一款基于电感耦合等离子体技术的自成一体的原子发生器,它的功能是用于半导体设备工艺腔体原子级别的清洁,使用工艺气体三氟化氮(NF3)/O2,在交变电场和磁场作用下,原材料气体会被解离,从而释放出自由基,活性离子进入工艺室与工艺室上沉积的污染材料(SIO/SIN)或者残余气体(H2O、O2、H2、N2)等物质产生化学反应,聚合为高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室,提高处理腔室内部洁净度;利用原子的高活性强氧化特性,达到清洗CVD或其他腔室后生产工艺的目的,为了避免不必要的污染和工作人员的强度和高风险的湿式清洗工作,提高生产效率。湖南半导体设备RPS定制用于太赫兹器件的超精密清洗。

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RPS远程等离子源与智能制造的集成:在工业4.0背景下,RPS远程等离子源可与传感器和控制系统集成,实现实时工艺监控和调整。通过收集数据 on 清洗效率或自由基浓度,系统能够自动优化参数,确保比较好性能。这种智能集成减少了人为错误,提高了生产线的自动化水平。例如,在智能工厂中,RPS远程等离子源可以预测维护需求,提前调度清洁周期,避免意外停机。其兼容性使制造商能够构建更高效、更灵活的制造环境。光学元件(如透镜或反射镜)的涂层质量直接影响光学性能。沉积过程中的污染会导致散射或吸收损失。RPS远程等离子源可用于预处理基板,去除表面污染物,提升涂层附着力。在涂层后清洗中,它能有效清洁腔室,确保后续沉积的均匀性。其低损伤特性保护了精密光学表面,避免了微划痕或化学降解。因此,RPS远程等离子源在高精度光学制造中成为不可或缺的工具。

RPS远程等离子源的维护与寿命延长效益:设备停机时间是制造业的主要成本来源之一。RPS远程等离子源通过定期清洁沉积腔室,减少颗粒污染引起的工艺漂移,从而延长维护周期。其高效的清洗能力缩短了清洁时间,提高了设备利用率。此外,RPS远程等离子源的模块化设计便于集成到现有系统中,无需大规模改造。用户报告显示,采用RPS远程等离子源后,平均维护间隔延长了30%以上,整体拥有成本明显 降低。这对于高产量生产线来说,意味着更高的投资回报率。为先进封装提供TSV通孔和键合界面的精密清洗。

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远程等离子体源RPS反应原理:氧气作为工艺气体通入等离子发生腔后,会电离成氧离子,氧离子会与腔室里面的水分子、氧分子、氢分子、氮分子发生碰撞和产生化学反应。物理碰撞会让这些腔室原有的分子,电离成离子态,电离后氧离子和氢离子,氧离子和氮离子,氧离子和氧离子都会由于碰撞或者发生化学反应生成新的物质或者功能基团。新形成的物质或者功能基团,会更容易被真空系统抽走,从而达到降低原有腔室的残余气体含量。当然,氧等离子进入到腔室所发生的反应,比以上分析的状况会更复杂,但其机理是相类似的。适用于生物芯片微流道表面的亲水化改性处理。广东RPS常用知识

在未来新材料开发中实现原子级操控。上海远程等离子源处理cvd腔室RPS石英舟腔体清洗

RPS远程等离子源在功率器件制造中的关键技术在IGBT模块制造中,RPS远程等离子源通过优化清洗工艺,将芯片贴装空洞率从5%降至0.5%以下。采用H2/Ar远程等离子体在380℃条件下活化DBC基板表面,使焊料铺展率提升至98%。在SiCMOSFET制造中,RPS远程等离子源实现的栅氧界面态密度达2×1010/cm²·eV,使器件导通电阻降低15%,开关损耗改善20%。RPS远程等离子源在射频器件制造中的精密控制针对5G射频滤波器制造,RPS远程等离子源开发了温度可控的刻蚀工艺。在BAW滤波器生产中,通过Ar/Cl2远程等离子体将氮化铝压电层的刻蚀均匀性控制在±1.5%以内,谐振频率偏差<0.02%。在GaN射频器件制造中,RPS远程等离子源将表面损伤层厚度控制在1.5nm以内,使器件截止频率达到120GHz,输出功率密度提升至6W/mm。上海远程等离子源处理cvd腔室RPS石英舟腔体清洗

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