EVG®520IS晶圆键合机系统：
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产。
EVG520IS单腔单元可半自动操作蕞大200mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计，具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征：
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
蕞大接触力
10、20、60、100kN
加热器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸单芯片100毫米
真空
标准：1E-5mbar
可选：1E-6mbar GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。江西官方授权经销键合机
EVG键合机加工结果 除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的准确的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。EVG850 DB键合机技术服务EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。
EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。 EVG和岱美经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持。
引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中，这是因为其成本效率高且易于应用。在蕞佳环境中，每秒蕞多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。
尽管球形键合的蕞佳选择是纯金，但由于铜的相对成本和可获得性，铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置，以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形，因此得名。当铜用于球焊时，氮气以气态形式使用，以防止在引线键合过程中形成氧化铜。 EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。江西官方授权经销键合机
EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？江西官方授权经销键合机
临时键合系统：
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 江西官方授权经销键合机
