GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为 <50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。云南EVG805键合机
从表面上看，“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语，但由于涉及更多的变量，因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起，在电子设备上执行引线键合过程，但是由于项目的精致性，由于它们的导电性和相对键合温度，通常jin应用金，铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量，超声波能量和微量压力的技术，可避免损坏电子电路。如果执行不当，很容易损坏微芯片或相应的焊盘，因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习，然后再尝试进行引线键合。 微流控键合机推荐产品EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。
封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。
BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。
针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究，以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象，提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺，以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量，以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度，使用恒温炉进行低温退火，解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高，环境要求苛刻等问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时，具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。微流控键合机推荐产品
EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？云南EVG805键合机
EVG®501键合机特征：独特的压力和温度均匀性；兼容EVG机械和光学对准器；灵活的研究设计和配置；从单芯片到晶圆；各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）；可选的涡轮泵（<1E-5mbar）；可升级用于阳极键合；开室设计，易于转换和维护；兼容试生产，适合于学校、研究所等；开室设计，易于转换和维护；200mm键合系统的ZUI小占地面积：0.8平方米；程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。EVG®501键合机技术数据ZUI大接触力为20kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准：0.1毫巴可选：1E-5mbar 云南EVG805键合机
