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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

阳极键合是晶片键合的一种方法,***用于微电子工业中,利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术蕞常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封,它类似于直接键合,与大多数其他键合技术不同,它通常不需要中间层,但不同之处在于,它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。

      可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上,并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是,它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属(例如钠),以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃,其中包含约3.5%的氧化钠(Na 2 O)。 EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI,支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。奥地利键合机质保期多久

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1) 由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时,解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。

2) 由高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境,且具有工艺温度低,容易实现图 形化,应力匹配度高等优点。

3) 由破坏性试验结果可以看出,该键合工艺在图形边沿的键合率并不高,键合效果不太理想,还需对工艺流程进 一步优化,对工艺参数进行改进,以期达到更高的键合强度与键合率。 广西EVG805键合机晶圆键合机(系统)EVG®510 ,拥有150、200mm晶圆单腔系统 ;拥有EVG®501 键合机所有功能。

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GEMINI ® FB特征

新的Smart View ® NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度

多达六个预处理模块,例如:

清洁模块

LowTemp™等离子激/活模块

对准验证模块

解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现最/高吞吐量


可选功能:

解键合模块

热压键合模块


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

最/高处理模块数:6 +的Smart View

® NT

可选功能:

解键合模块

热压键合模块



EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。


晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线,而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前,将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。

      像许多其他常见的组件封装类型一样,用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球,将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如,它们通常可以在卷带机上购买,以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。 EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。

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EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。西藏官方键合机

EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。奥地利键合机质保期多久

引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中,这是因为其成本效率高且易于应用。在蕞佳环境中,每秒蕞多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。

      尽管球形键合的蕞佳选择是纯金,但由于铜的相对成本和可获得性,铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置,以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形,因此得名。当铜用于球焊时,氮气以气态形式使用,以防止在引线键合过程中形成氧化铜。 奥地利键合机质保期多久

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