企业商机
超高纯气体基本参数
  • 品牌
  • 弥正
  • 型号
  • 001
超高纯气体企业商机

上海弥正超高纯氮气(纯度达 6N 级),专为半导体晶圆加工设计,以 “杂质 + 稳定供应” 成为芯片制造的关键基础材料。采用低温精馏与吸附分离双重提纯工艺,将氧气、水分、碳氢化合物等杂质含量控制在 0.1ppb 以下,完全满足半导体刻蚀、沉积等重心工艺对气体纯度的严苛要求。作为惰性保护气体,它能有效隔绝空气与工艺环境接触,防止晶圆表面氧化或污染,保障光刻胶涂覆、等离子体刻蚀等环节的工艺稳定性。配备特用超洁净包装与输送系统,气瓶内壁经电解抛光处理,避免二次污染,气体输送过程中纯度衰减率低于 0.01%。某芯片制造企业应用后,晶圆氧化缺陷率从 0.3% 降至 0.02%,芯片良率提升 2.8%,连续供应 12 个月无纯度波动问题,完全适配 5G 芯片、人工智能芯片等制程的生产需求,成为半导体产业不可或缺的惰性保护解决方案。


超高纯氚气(杂质≤0.1ppm)用于核工业与放射性检测设备。江苏甲烷超高纯气体新能源

江苏甲烷超高纯气体新能源,超高纯气体

上海弥正针对碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体制造,打造专属超高纯气体解决方案,以 “适配宽禁带特性 + 准确工艺控制” 助力功率器件与射频器件量产。方案涵盖超高纯氨气、硅烷、氢气、氩气等重心气体,其中用于 GaN 外延生长的超高纯氨气纯度达 7N 级,金属杂质含量≤0.01ppb;用于 SiC 刻蚀的超高纯氟化物气体纯度达 6N 级,确保材料刻蚀的准确度与表面质量。第三代半导体材料具有耐高温、耐高压、高频的特性,对气体纯度与杂质控制要求远高于传统硅基半导体,该方案通过准确控制氧、碳、金属等杂质含量,有效减少外延层缺陷,提升器件的击穿电压与可靠性。提供外延生长、离子注入、刻蚀、退火等全工艺环节的气体组合,并配备工艺适配团队,协助客户优化气体流量、压力等工艺参数。某专注于 SiC 功率器件的企业应用该方案后,外延片的缺陷密度从 10³cm⁻² 降至 10²cm⁻² 以下,器件的击穿电压提升 20%,成功实现车规级 SiC MOSFET 的稳定量产。浙江反-2-丁烯超高纯气体光纤生产超高纯六氟化硫用于电力设备灭弧,保障电网安全运行。

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上海弥正超高纯三氟化氮(5N 级纯度),是半导体等离子体刻蚀工艺的关键清洗气体,以 “高纯度 + 低污染” 助力芯片制程精细化。采用低温吸附与精馏提纯工艺,将杂质含量控制在 1ppb 以内,其中金属杂质与颗粒物杂质均≤0.1ppb,能准确匹配 7nm 及以下先进制程的刻蚀需求。其强氧化性可高效去除晶圆表面的硅化物、金属氧化物等残留沉积物,且反应产物易挥发,无需额外复杂清洗步骤,有效提升刻蚀工艺效率。配备特用环保处理系统,气体使用后可通过回收装置实现 67% 的再利用率,降低环境排放与使用成本,符合亚洲芯片代工厂的生态合规要求。某半导体代工厂应用后,晶圆刻蚀残留率从 0.8% 降至 0.05%,刻蚀工艺效率提升 15%,单晶圆制造成本降低 3%,同时满足 SEMI 国际半导体产业协会的环保与纯度标准,成为先进制程刻蚀工艺的推荐清洗气体。

上海弥正超高纯氙气(6N 级纯度),凭借 “优越的 X 射线吸收能力 + 放射性杂质”,成为医疗成像与前沿科学探测领域的不可替代材料。通过多级精馏与精密提纯工艺,将总杂质含量控制在 0.1ppm 以下,其中对成像质量影响重大的总烃杂质≤10ppb,具有放射性的氡杂质更是被控制在 1ppb 以下,达到暗物质探测的严苛标准。在医疗领域,作为 CT 机的氙气探测器填充气体,其强大的 X 射线吸收能力能明显提升影像的清晰度与对比度,帮助医生精细识别微小病灶,减少误诊率;在高能物理领域,是大型暗物质探测器的重心工作介质,其超高纯度可比较大限度降低背景干扰,确保探测数据的准确性。采用特制的高压无缝气瓶包装,瓶体经严格的气密性与抗压测试,符合 GB 5099《钢质无缝气瓶》标准,保障储存与运输安全。某医疗设备企业应用后,其生产的 CT 机影像分辨率提升 40%,微小病灶检出率提高 25%;某科研院所在暗物质探测实验中使用该气体,成功捕捉到关键信号,实验进程大幅加速。超高纯锑烷纯度≥99.99%,用于半导体掺杂与红外材料制备。

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上海弥正超高纯乙硼烷(5N 级纯度),专为 FinFET、GAA(全环绕栅极)等先进晶体管结构的超浅结掺杂工艺设计,以 “超高纯度 + 准确控制” 突破芯片制程瓶颈。采用低温合成与精密吸附提纯技术,将杂质含量控制在极低水平,其中磷、砷等杂质含量≤5ppt,水分含量≤10ppb,满足 5nm 及以下先进制程对超浅结掺杂的严苛要求。在超浅结掺杂中,它能提供高浓度的硼离子,实现对半导体材料的准确、浅度掺杂,形成高性能的 P 型半导体层,其纯度与稳定性直接影响结深控制精度与器件的阈值电压,对提升晶体管开关性能至关重要。提供定制化的稀释与输送方案,可根据客户工艺需求,将乙硼烷准确稀释至 1-100ppm 的标准混合气,采用不锈钢管道输送,配备在线浓度监测与自动报警系统,确保掺杂过程准确可控。某专注于先进制程的芯片设计与制造企业应用后,GAA 晶体管的阈值电压波动范围缩小至 ±0.02V,开关电流提升 20%,成功实现 5nm 制程芯片的稳定量产。超高纯甲烷(杂质≤0.5ppm)是半导体刻蚀工艺的关键气体。江苏甲烷超高纯气体新能源

超高纯一氧化二氮(杂质≤1ppm)用作半导体掺杂工艺气体。江苏甲烷超高纯气体新能源

上海弥正针对航空航天与工业,打造涵盖超高纯氦气、氢气、氩气的特种气体解决方案,满足火箭发射、卫星推进、精密焊接等极端场景需求。超高纯氦气纯度达99.9999%,低于-85℃,可用于火箭燃料加压与系统检漏,其低沸点特性确保在极端低温环境下仍能保持气态;超高纯氢气纯度达6N级,作为卫星推进系统的燃料,能量密度高且燃烧产物无污染;超高纯氩气用于钛合金零部件焊接保护,避免高温氧化影响材料力学性能。所有气体均通过严格的高低温环境测试,在-50℃至60℃范围内均能稳定供应,气瓶采用级度材料制造,抗压强度达30MPa,防泄漏性能符合国际航空运输协会(IATA)标准。某航天企业应用后,火箭燃料系统检漏准确率达100%,钛合金焊接焊缝强度提升20%,卫星推进系统运行稳定性提高,完全满足航空航天领域对气体可靠性与安全性的战略要求。江苏甲烷超高纯气体新能源

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