共基放大电路以基极作为公共电极，输入信号加在发射极和基极之间，输出信号从集电极和基极之间取出，NPN 型小功率三极管在该电路中工作在放大区。共基放大电路的突出特点是频率响应好，上限截止频率高，这是因为基极交流接地，基极电容的影响较小，减少了载流子在基区的渡越时间对高频信号的影响，因此常用于高频放大电路中，如射频信号放大、高频振荡电路等。与共射放大电路相比，共基放大电路的电压放大倍数较高，但电流放大倍数小于 1，即没有电流放大能力，能实现电压放大，且输出信号与输入信号同相位。在实际应用时，共基放大电路常与共射放大电路组合使用，构成共射 - 共基组合放大电路，既能获得较高的电压放大倍数，又能拥有良好的高频特性，满足高频信号放大的需求，例如在通信设备的高频放大模块中，就常采用这种组合电路。汽车电子中，三极管驱动电路 PCB 输入输出回路垂直布局，降 EMI。江西贴片式NPN型晶体三极管询价
温度对 NPN 型小功率三极管参数影响比较明显：一是 VBE 随温度升高而减小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能导致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 随温度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加剧 IC 不稳定；三是集电极反向饱和电流 ICBO（发射极开路时 CB 反向电流）随温度升高呈指数增长，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基极开路时 CE 反向电流）≈(1+β) ICBO，变化更剧烈。例如在高温环境（如汽车电子）中，需通过温度补偿电路（如并联二极管）抵消温度对参数的影响。云南隔离型NPN型晶体三极管定制LED 驱动中，射极输出器串联 15Ω 电阻，使 RL 与 ro 匹配，亮度稳定。
继电器线圈是感性负载，断电时会产生反向电动势，可能击穿三极管。需在继电器线圈两端并联续流二极管（如 1N4001），二极管正极接线圈负极，负极接线圈正极，当线圈断电时，反向电动势通过二极管形成回路，保护三极管。此外，若继电器工作电流接近 ICM，需在基极增加限流电阻，避免 IB 过大导致三极管烧毁。例如 5V 继电器线圈电阻 50Ω（工作电流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驱动，除并联续流二极管外，基极电阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，确保 IB=1mA（β=100 时，IC=100mA），既满足驱动需求，又避免过载。
共射放大电路是 NPN 型小功率管的经典应用，发射极接地，输入信号加在 BE 间，输出信号从 CE 间取出。电路中，RB（基极偏置电阻）控制 IB，确定静态工作点；RC（集电极负载电阻）将 IC 变化转化为 VCE 变化，实现电压放大。该电路的优势是电压放大倍数高（Av=-βRC/ri，ri 为输入电阻）、电流放大倍数大，缺点是输入电阻小、输出电阻大，输出信号与输入信号反相。例如在音频前置放大电路中，用 9014 管组成共射电路，将麦克风输出的 mV 级信号放大至 V 级，为后级功率放大提供信号源。27MHz 无线话筒选 Cbc=1.5pF 的 2SC3355，配合云母电容降频漂。
用万用表检测三极管好坏：第一步测 PN 结正向导通性，红表笔接 B，黑表笔接 E、C，均应显示 0.6-0.7V（硅管），若显示 “OL” 或压降异常，说明发射结 / 集电结损坏；第二步测反向截止性，黑表笔接 B，红表笔接 E、C，均应显示 “OL”，若有导通压降，说明 PN 结反向漏电；第三步估测 β，将万用表调至 “hFE 档”，根据三极管类型（NPN）插入对应插槽，显示 β 值，若 β<10 或无显示，说明三极管放大能力失效。例如检测 9013 管，若 B-E、B-C 正向压降正常，反向截止，β=80-120，说明三极管完好。RC 振荡电路起振需 AF≥1，A 为放大倍数，F 为反馈系数。重庆高频NPN型晶体三极管询价
变压器耦合可阻抗匹配，适合高频功率放大，却体积大、成本高。江西贴片式NPN型晶体三极管询价
静态工作点是三极管放大电路的 重要参数，需通过偏置电路设置，确保三极管工作在放大区。常用的偏置方式有固定偏置和分压式偏置：固定偏置通过基极电阻 RB 直接从电源取电，RB=(VCC-VBE)/IBQ，电路简单但稳定性差，适合负载固定、温度变化小的场景；分压式偏置（RB1、RB2 分压）使 VB 稳定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通过发射极电阻 RE 抑制 IC 漂移，稳定性远优于固定偏置，是多数放大电路的首要选择。例如在音频放大电路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可设 RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，确保静态工作点稳定。江西贴片式NPN型晶体三极管询价
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