茂名真空陶瓷金属化种类

氧化铍陶瓷金属化技术在电子领域有着独特的应用价值。氧化铍陶瓷具有出色的物理特性，其导热系数高达 200 - 250W/(m・K)，能够高效传导电子器件运行产生的热量，确保器件稳定运行；高抗折强度使其能承受较大外力而不易损坏；在电学性能上，低介电常数和低介质损耗角正切值使其在高频电路中信号传输稳定且损耗小，高绝缘性能可有效隔离电路，防止漏电。通过金属化加工，氧化铍陶瓷成为连接芯片与电路的关键 “桥梁”。当前主流的金属化技术包括厚膜烧结、直接键合铜（DBC）和活性金属焊接（AMB）等。厚膜烧结技术工艺成熟、成本可控，适合大批量生产，如工业化生产中丝网印刷可将金属层厚度公差控制在 ±2μm 。DBC 技术能使氧化铍陶瓷表面覆盖一层铜箔，形成分子级欧姆接触，适用于双面导通型基板，可缩小器件体积 30% 以上 。AMB 技术在陶瓷与金属间加入活性钎料，界面强度高，能承受极端场景下的热冲击，在航天器传感器等领域应用 。陶瓷金属化的钎焊技术利用银铜合金等钎料，高温下润湿陶瓷形成冶金结合，用于密封封装。茂名真空陶瓷金属化种类

航空航天：用于发动机部件、热防护系统以及天线罩等关键组件，其优异的耐高温、耐腐蚀性能，确保了极端环境下设备的稳定运行。电子通讯：在集成电路中，陶瓷金属化基片能够有效提高电路集成化程度，实现电子设备小型化。在手机射频前端模块，多层陶瓷与金属化层交替堆叠，构建超小型、高性能滤波器、耦合器等元件。金属化实现层间电气连接与信号屏蔽，使各功能单元紧密集成，缩小整体体积。医疗器械：可用于制造一些精密的电子医疗器械部件，既利用了陶瓷的生物相容性和化学稳定性，又借助金属化后的导电性能满足设备的电气功能需求。还可以提升植入物的生物相容性和耐腐蚀性，通过赋予其抗钧性能，降低了感然风险。环保与能源：用于制备高效催化剂、电解槽电极等，促进了清洁能源的生产与利用。在能源领域，部分储能设备的电极材料可采用陶瓷金属化材料，陶瓷的耐高温、耐腐蚀性能有助于提高电极的稳定性和使用寿命，金属化带来的导电性则保障了电荷的顺利传输。此外，同远表面处理的陶瓷金属化在机械制造领域也有应用，如金属陶瓷刀具、轴承等5。在汽车行业的一些陶瓷部件中可能也会用到该技术来提升部件性能5。阳江氧化铝陶瓷金属化种类陶瓷金属化技术难点在于调控界面反应，保障结合强度与稳定性。

同远陶瓷金属化服务客户案例 同远表面处理凭借出色的陶瓷金属化技术，为众多客户提供了质量服务。与华为合作，在 5G 通信模块的陶瓷基板金属化项目中，同远运用其先进的化镀镍钯金工艺，确保基板镀层在高频信号传输下稳定可靠，信号传输损耗极低，助力华为 5G 产品在性能上保持前面。在与迈瑞医疗的合作中，针对医疗压力传感器的氧化锆陶瓷片镀金需求，同远研发的特用镀金工艺使陶瓷片在生理盐雾环境下（37℃，5% NaCl）测试 1000 小时无腐蚀，信号漂移量＜0.5%，满足了医疗设备对高精度、高可靠性的严苛要求。这些成功案例彰显了同远陶瓷金属化技术在不同行业的强大适应性与飞跃性能 。

同远陶瓷金属化的环保举措 在陶瓷金属化生产过程中，同远表面处理高度重视环保。严格执行 RoHS、REACH 等国际环保指令，从源头上把控化学物质使用。采用闭环式废水处理系统，对生产废水进行多级净化处理，使贵金属回收率高达 99.5% 以上，既减少了资源浪费，又降低了废水对环境的污染。在镀液选择上，积极采用环保型镀液，避免使用含青化物等有毒有害物质，同时配备先进的通风系统，减少废气排放，保障操作人员的健康。镀液体系通过 EN1811（镍含量测试）、EN12472（镍释放量测试）等欧盟认证，确保产品符合医疗、航空航天等对环保与安全性要求极高的应用场景，实现了经济效益与环境效益的双赢 。陶瓷金属化，借多种工艺，让陶瓷拥有金属特性，开启新应用。

《陶瓷金属化在医疗设备中的应用：保障器械安全性》医疗设备（如核磁共振仪、手术刀）对材料的生物相容性和稳定性要求极高。陶瓷金属化器件不含重金属，且耐消毒、耐腐蚀，可用于医疗设备的关键部件，如信号传输接口、手术器械的绝缘手柄，确保医疗操作的安全性。《陶瓷金属化的仿真模拟：优化工艺参数的新工具》借助有限元分析等仿真软件，可对陶瓷金属化的烧结过程进行模拟，预测温度场、应力分布等关键参数，提前发现可能出现的缺陷。通过仿真模拟，能减少实际试验次数，降低研发成本，快速优化工艺参数，提升生产效率。陶瓷金属化需确保金属层与陶瓷结合牢固，耐受高低温与振动。阳江碳化钛陶瓷金属化参数

陶瓷金属化流程含表面预处理、金属浆料涂覆、高温烧结等步骤。茂名真空陶瓷金属化种类

氮化铝陶瓷金属化技术在推动电子器件发展中起着关键作用。氮化铝陶瓷具有飞跃的热导率（170 - 320W/m・K）和低介电损耗（≤0.0005），在 5G 通信、新能源汽车、航空航天等领域极具应用价值。然而，其强共价键特性导致与金属的浸润性不足，表面金属化成为大规模应用的瓶颈。目前已发展出多种解决方案。厚膜法通过丝网印刷导电浆料并烧结形成金属层，成本低、兼容性高，银浆体积电阻率可低至 1.5×10⁻⁶Ω・cm，设备投资为薄膜法的 1/5 ，但分辨率有限，适用于对线路精度要求低的场景 。活性金属钎焊（AMB）在钎料中添加活性元素，与氮化铝发生化学反应实现冶金结合，界面剪切强度高，如 CuTi 钎料与氮化铝的界面剪切强度可达 120MPa ，但真空环境需求使设备成本高昂，多用于高级领域 。直接覆铜（DBC）利用 Cu/O 共晶液相的润湿作用实现铜箔与陶瓷键合，需预先形成过渡层，具有高导热性和规模化生产能力 。薄膜法通过磁控溅射和光刻实现微米级线路，适用于高频领域 。直接镀铜（DPC）则在低温下通过溅射种子层后电镀增厚，线路精度高，适用于精密器件 。茂名真空陶瓷金属化种类