理解ESD二极管与TVS二极管的差异，是合理选型的基础。两者都属于瞬态电压抑制器件，但应用场景侧重不同：ESD二极管主要针对静电放电（能量较小、持续时间短），响应速度更快（通常ps级），电容更低，适合高速信号接口防护；TVS二极管则能承受更大的浪涌能量（kW级），适合电源系统的浪涌防护。在实际应用中，两者常结合使用形成级联防护：ESD二极管靠近接口快速泄放静电，TVS二极管在后端抵御更大能量的浪涌，这种组合方案在车载电源、工业控制系统中较为常见，可实现多方面的瞬态防护。ESD 二极管的电气参数需与设备电路相匹配。中山静电保护ESD二极管技术指导
选型时需重点关注ESD二极管的中心参数，确保与被保护电路的需求精细匹配。反向工作峰值电压是首要考量，需高于被保护电路的比较大正常工作电压，避免器件在正常工作时误导通。击穿电压应根据电路的静电耐受能力设定，需略低于被保护芯片的比较大耐受电压，确保静电脉冲到来时器件及时启动防护。钳位电压是防护效果的直接体现，需控制在被保护元件可承受的范围内，避免过压损害。结电容参数需结合信号传输速率选择，高速接口应选用低电容型号，防止信号失真。封装形式则根据PCB板空间和散热需求确定，便携设备优先选择超微型封装，电源线路可选用散热性能较好的封装类型。此外，漏电流、峰值脉冲电流等参数也需根据电路功耗和浪涌强度综合考量，确保ESD二极管的防护性能与电路需求完全适配。梅州单向ESD二极管常见问题农业电子设备中，ESD 二极管适配户外工作场景。
医疗设备对电路稳定性的要求极高，ESD 二极管的选型与部署需兼顾防护效能与信号保真。以血透机为例，设备内部集成大量精密传感与控制电路，操作人员接触或设备移动产生的静电可能干扰运行参数，甚至影响安全。适配的 ESD 二极管需满足 YY0505 等医疗电磁兼容规范，在 30kV 接触放电测试中保持稳定性能。同时，其低寄生参数特性可避免对传感信号的干扰，确保监测数据准确。在部署时，常靠近设备接口与传感模块，与整流桥、稳压二极管等器件协同工作，形成全链路防护，为医疗设备的可靠运行提供保障。
除传统半导体结构外，高分子 ESD 二极管凭借独特的材料特性在高速电路中占据重要地位。这类器件由菱形分子阵列构成，无 PN 结结构，结电容可低于 0.1pF，远优于传统器件的 0.3~5pF 范围，能比较大限度减少对高频信号的衰减。其防护原理基于分子前列放电效应，响应速度达到纳秒级，可满足 5Gbps 以上高速接口的防护需求，如 HDMI 2.1、5G 通信模块等场景。与半导体型 ESD 二极管相比，高分子类型虽钳位电压相对较高，但信号保真度更优，尤其适合对信号完整性要求严苛的精密电子设备，常被部署在靠近高速接口的位置，且需配合短距离布线以避免信号损耗。继电器设备中，ESD 二极管可保护触点免受静电影响。
ESD二极管在电源系统中的应用需重点关注浪涌耐受能力。电源接口是静电和浪涌的主要入口，尤其是交流电源端可能面临雷击感应产生的强瞬态电压。用于电源防护的ESD二极管，通常采用TVS二极管与ESD防护结构的集成设计，峰值脉冲功率可达数千瓦，在8/20μs浪涌波形下能承受5.5A以上电流。例如在服务器电源模块中，这类器件被并联在输入端，当出现雷击浪涌时，可在纳秒级时间内导通，将电压钳位在安全范围，避免浪涌电流损坏电源管理芯片。其工作电压需根据电源规格选择，220V交流系统通常适配击穿电压为300V以上的型号。ESD 二极管的结构设计利于静电电荷快速泄放。深圳ESD二极管常用知识
电子仪器中，ESD 二极管可保障测量精度稳定。中山静电保护ESD二极管技术指导
ESD 二极管，又称 ESD 保护二极管，是一类专为抵御静电放电（ESD）设计的半导体器件，广泛应用于各类电子电路的防护体系中。其工作原理基于半导体 PN 结的雪崩击穿效应，常态下处于反向截止的高阻态，漏电流为纳安级别，不会对电路正常信号传输或电源供给产生干扰。当静电等瞬态高压脉冲（上升沿通常为 0.7~1ns）侵入时，若电压超过器件的击穿电压（VBR），ESD 二极管会在皮秒级时间内转为低阻态，为过剩电荷提供泄放路径，同时将钳位电压（VC）控制在被保护芯片可耐受的安全范围。待异常电压消失后，器件自动恢复高阻态，等待下一次防护动作，这种特性使其成为电路静电防护的基础组件。中山静电保护ESD二极管技术指导
