PECVD（等离子增强化学气相沉积或等离子体辅助化学气相沉积），是一种利用等离子体在较低温度下进行沉积的一种薄膜生长技术。等离子体中大部分原子或分子被电离，通常使用射频(RF)产生，但也可以通过交流电(AC)或直流电(DC)在两个平行电极之间放电产生。PECVD是一种基于真空的工艺，通常在<0.1Torr的压力下进行，允许相对较低的基板温度，从室温到300°C。通过利用等离子体为这些沉积反应的发生提供能量，而不是将基板加热到很高的的温度来驱动这些沉积反应。由于PECVD沉积温度较低，沉积的薄膜应力较小，结合力更强。使用CVD的方式进行沉积氧化氮化硅(SiOxNy)与氮化硅(SiNx)能有效提高钝化发射极和后极电池效率。德阳光学真空镀膜
LPCVD设备中常用的是水平式LPCVD设备，因为其具有结构简单、操作方便、沉积速率高、产能大等优点。水平式LPCVD设备可以根据不同的加热方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）电阻丝加热式LPCVD设备，是指使用电阻丝作为加热元件，将电阻丝缠绕在反应室外壁或内壁上，通过电流加热反应室和衬底；（2）卤素灯加热式LPCVD设备，是指使用卤素灯作为加热元件，将卤素灯安装在反应室外壁或内壁上，通过辐射加热反应室和衬底；（3）感应加热式LPCVD设备，是指使用感应线圈作为加热元件，将感应线圈围绕在反应室外壁或内壁上，通过电磁感应加热反应室和衬底。南京新型真空镀膜真空镀膜在电子产品中不可或缺。
电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀，将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，薄片只能通过坩埚边沿来导热，散热速率慢，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。PVD(气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是快的，它已经成为当今先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。
LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备，因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）层流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向平行流动，从反应室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向紊乱流动，从反应室上方排出；（3）对流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向循环流动，从反应室下方排出。镀膜技术为产品提供优越的防腐保护。
LPCVD设备中还有一个重要的工艺参数是气体前驱体的流量，因为它也影响了反应速率、反应机理、反应产物、反应选择性等方面。一般来说，流量越大，气体在反应室内的浓度越高，反应速率越快，沉积速率越高；流量越小，气体在反应室内的浓度越低，反应速率越慢，沉积速率越低。但是，并不是流量越大越好，因为过大的流量也会带来一些不利的影响。例如，过大的流量会导致气体在反应室内的停留时间缩短，从而降低沉积效率或增加副产物；过大的流量会导致气体在反应室内的流动紊乱，从而降低薄膜的均匀性或质量；过大的流量会导致气体前驱体之间或与衬底材料之间的竞争反应增加，从而改变反应机理或反应选择性。薄膜中存在的各种缺陷是产生本征应力的主要原因，这些缺陷一般都是非平衡缺陷，但需要外界给予活化能。南京新型真空镀膜
真空镀膜技术普遍应用于工业制造。德阳光学真空镀膜
PVD镀膜(离子镀膜)技术，其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。特点,采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。PVD镀膜能够镀出的膜层种类，PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等），氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD镀膜膜层的厚度—PVD镀膜膜层的厚度为微米级，厚度较薄，一般为0.3μm～5μm，其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm～1μm，因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能，镀后不须再加工。德阳光学真空镀膜
