ICEO 是基极开路时集电极 - 发射极反向电流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均随温度升高而增大，ICEO 的温度敏感性极强，会导致电路静态电流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是选择 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 远小于锗管；二是在基极与地之间接泄放电阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，减小 ICEO 对 IC 的影响；三是采用分压式偏置电路，通过 RE 的负反馈稳定 IC。例如在高精度电流源电路中，基极接 100kΩ 泄放电阻，当 ICEO=10μA（β=100）时，IB=0.1μA，对 IC 的影响可忽略不计，确保电流源输出稳定。低频管如 9014，fT 约 150MHz；高频管如 S9018，fT 可达 1GHz 以上。上海高频NPN型晶体三极管传感器信号调理应用定制
共集放大电路又称射极输出器，在该电路中，集电极作为公共电极，输入信号加在基极和集电极之间，输出信号从发射极和集电极之间取出。NPN 型小功率三极管在共集放大电路中同样工作在放大区，其 重要特点是电压放大倍数小于 1 且近似等于 1，输出电压与输入电压同相位，即输出电压跟随输入电压变化，因此也被称为电压跟随器。虽然共集放大电路的电压放大能力较弱，但它具有输入电阻高、输出电阻低的优点，输入电阻高可以减小信号源的负载效应，输出电阻低则可以提高电路的带负载能力，能够驱动阻抗较低的负载。基于这些特点，共集放大电路常用于多级放大电路的输入级、输出级或中间隔离级，例如在测量仪器的输入电路中，采用共集放大电路可以减少对被测信号的影响；在功率放大电路的输出级前，使用共集放大电路可以起到缓冲作用，提高整个电路的带负载能力。湖北医疗级NPN型晶体三极管太阳能逆变器应用维修服务汽车电子中，三极管驱动电路 PCB 输入输出回路垂直布局，降 EMI。
正确识别引脚是三极管应用的前提，常用方法有：一是看封装标识，TO-92 封装管（如 9013），引脚朝下、标识面向自己，从左至右依次为 E、B、C；SOT-23 封装管（如 MMBT3904），引脚朝下、缺口朝左，从左至右依次为 E、B、C（部分型号顺序不同，需查手册）。二是用万用表检测，将万用表调至 “二极管档”，红表笔接 B，黑表笔接 E，显示压降 0.6-0.7V（正向导通）；黑表笔接 C，红表笔接 B，显示压降 0.6-0.7V（正向导通）；其他引脚组合显示 “OL”（反向截止），据此区分 B、E、C。
电流放大系数 β 并非在所有频率下都恒定，而是随信号频率升高而下降，这一特性用特征频率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 时的频率，是衡量三极管高频放大能力的关键参数。小功率 NPN 管的 fT 差异较大，低频管（如 9014）fT 约 150MHz，高频管（如 S9018）fT 可达 1GHz 以上。在实际应用中，需确保工作频率远低于 fT（通常为 fT 的 1/5~1/10），才能保证稳定的放大效果。例如在 FM 收音机中频放大电路（工作频率 10.7MHz）中，选择 fT≥100MHz 的三极管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降导致的放大倍数不足。它有三个极间电容：Cbe、Cbc、Cce，影响高频性能。
要让 NPN 型小功率三极管实现放大或开关功能，需满足特定偏置：发射结正向偏置、集电结反向偏置。发射结正向偏置指基极电压（VB）高于发射极电压（VE），硅管正向压降约 0.6-0.7V，此时发射区自由电子在电场作用下越过发射结进入基区；集电结反向偏置指集电极电压（VC）高于基极电压（VB），反向电场阻止基区空穴向集电区移动，同时 “牵引” 基区未复合的自由电子进入集电区。若偏置条件不满足，如发射结反偏，三极管会进入截止状态；若集电结正偏，则可能进入饱和状态，无法实现正常放大。贴片封装 SOT-23 比直插 TO-92 散热好，PCM 可提升 10%-20%。上海高频NPN型晶体三极管传感器信号调理应用定制
共射放大实验测电压放大倍数和阻抗，观察失真现象。上海高频NPN型晶体三极管传感器信号调理应用定制
集电极最大允许功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶体三极管在工作过程中，集电结所能承受的最大功耗，它是由三极管的结温上限决定的。三极管工作时，集电结会产生功率损耗，这些损耗会转化为热量，导致结温升高，当结温超过上限值时，三极管会因过热而损坏。PCM 的计算公式为 PCM = IC × VCE，即集电极电流与集电极 - 发射极电压的乘积。小功率 NPN 型三极管的 PCM 通常较小，一般在几十毫瓦到几百毫瓦之间，例如 9012 三极管的 PCM 约为 625mW，8050 三极管的 PCM 约为 1W。在电路设计中，必须确保三极管的实际功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，为了降低三极管的功耗和结温，通常会合理选择电路参数，减少 IC 和 VCE 的乘积，同时在功耗较大的场合，可为三极管加装散热片，提高散热效率，从而使三极管能够在接近 PCM 的条件下稳定工作。上海高频NPN型晶体三极管传感器信号调理应用定制
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