常州半导体晶圆加热盘生产厂家

面向半导体热压键合工艺，国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量！采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构，加热面平面度误差小于0.005mm，确保键合区域压力均匀传递！温度调节范围室温至400℃，升温速率达40℃/秒，可快速达到键合温度并保持稳定（温度波动±0.5℃），适配金-金、铜-铜等不同金属键合工艺！配备压力传感器与位移监测模块，实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移，通过闭环控制实现压力（0.1-10MPa）与温度的精细匹配！与ASM太平洋键合设备适配，使键合界面电阻降低至5mΩ以下，为高可靠性芯片互联提供保障！表面硬度强化处理，耐磨耐刮擦，保持长期美观实用。常州半导体晶圆加热盘生产厂家

针对原子层沉积工艺对温度的严苛要求，国瑞热控ALD**加热盘采用多分区温控设计，通过仿真优化加热丝布局，确保表面温度分布均匀性符合精密制程标准！设备温度调节范围覆盖室温至600℃，升温速率可达25℃/分钟，搭配铂电阻传感器实现±0.1℃的控温精度，满足ALD工艺中前驱体吸附与反应的温度窗口需求！采用氮化铝陶瓷基底与密封结构，在真空环境下无挥发性物质释放，且能抵御反应腔体内腐蚀性气体侵蚀！适配8英寸至12英寸晶圆规格，通过标准化接口与拓荆、中微等厂商的ALD设备无缝兼容，为原子层沉积的高保形性薄膜制备提供保障！常州半导体晶圆加热盘生产厂家便于自动化集成，标准接口通讯支持，助力智能制造。

国瑞热控推出半导体加热盘专项维修服务，针对加热元件老化、温度均匀性下降等常见问题提供系统解决方案！服务流程涵盖外观检测、绝缘性能测试、温度场扫描等12项检测项目，精细定位故障点！采用原厂匹配的氮化铝陶瓷基材与加热元件，维修后的加热盘温度均匀性恢复至±1℃以内，使用寿命延长至新设备的80%以上！配备专业维修团队，可提供上门服务与设备现场调试，单台维修周期控制在7个工作日以内，大幅缩短生产线停机时间！建立维修档案与质保体系，维修后提供6个月质量保障，为企业降低设备更新成本，提升资产利用率！

面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求，国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升！采用铝合金基体与石英玻璃复合结构，加热面平面度误差小于0.01mm，确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合！通过红外加热与接触式导热协同技术，升温速率达15℃/分钟，温度调节范围60℃-120℃，控温精度±0.3℃，适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节！表面经防反射涂层处理，减少深紫外光反射干扰，且具备快速冷却功能，从120℃降至室温*需8分钟，缩短工艺间隔！与上海微电子光刻机适配，使光刻图形线宽偏差控制在5nm以内，满足90nm至28nm制程的精密图形定义需求！便于自动化集成，标准接口通讯支持，助力智能制造升级。

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配“固-液-固”相变生长工艺！采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在1:1！加热面温度均匀性控制在±0.5℃，升温速率可低至0.5℃/分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境！设备支持5厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达3纳米硅基芯片的3倍！多重安全保护设计，漏电过载超温防护，构建安全工作环境。江苏晶圆加热盘定制

热场分布均匀，避免局部过热，保护样品质量一致。常州半导体晶圆加热盘生产厂家

针对等离子体刻蚀环境的特殊性，国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构，表面硬度达莫氏9级，可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落！加热盘内部嵌入钼制加热丝，经后嵌工艺固定，避免高温下电极氧化影响加热性能，工作温度范围覆盖室温至500℃，控温精度±1℃！底部设计环形冷却通道，与加热元件形成热平衡调节系统，快速响应刻蚀过程中的温度波动！设备采用全密封结构，电气强度达2000V/1min，在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定，适配中微半导体刻蚀机等主流设备，为图形转移工艺提供可靠温控！常州半导体晶圆加热盘生产厂家

无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在江苏省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！