苏州刻蚀晶圆加热盘

面向半导体实验室研发场景，国瑞热控小型加热盘以高精度与灵活性成为科研得力助手！产品尺寸可定制至10cm×10cm，适配小规格晶圆与实验样本的加热需求，温度调节范围覆盖室温至500℃，**小调节精度达1℃！采用陶瓷加热元件与铂电阻传感器组合，控温稳定性达±0.5℃，满足材料研发中对温度参数的精细控制！设备支持USB数据导出功能，可实时记录温度变化曲线，便于实验数据追溯与分析！整体采用便携式设计，重量*1.5kg，且具备过热保护功能，当温度超过设定阈值时自动断电，为半导体新材料研发、工艺参数优化等实验工作提供可靠温控工具！远程监控功能可选，实时掌握设备状态，智能便捷管理。苏州刻蚀晶圆加热盘

面向半导体新材料研发场景，国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具！采用石墨与碳化硅复合基材，工作温度范围覆盖500℃-2000℃，可通过程序设定实现阶梯式升温，升温速率调节范围0.1-10℃/分钟！加热面配备24组测温点，实时监测温度分布，数据采样频率达10Hz，支持与实验室数据系统对接！设备体积紧凑（直径30cm），重量*5kg，配备小型真空腔体与惰性气体接口，适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求，已服务于中科院半导体所等科研机构！长宁区陶瓷加热盘定制热解决方案伙伴，深入探讨共同优化工艺热管理环节。

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺，采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构，表面粗糙度Ra小于0.1μm，减少光刻胶涂布缺陷！加热面划分6个**温控区域，通过仿真优化的加热元件布局，使温度均匀性达±0.5℃，避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均！温度调节范围覆盖60℃至150℃，升温速率10℃/分钟，搭配无接触红外测温系统，实时监测晶圆表面温度并动态调节！设备兼容6英寸至12英寸光刻机配套需求，与ASML、尼康等设备的制程参数匹配，为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境！

针对碳化硅衬底生长的高温需求，国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术，**温度梯度可控性差的行业难题！加热盘主体选用耐高温石墨基材，表面喷涂碳化硅涂层，在2200℃高温下仍保持结构稳定，热导率达180W/mK，适配PVT法、TSSG法等主流生长工艺！内部划分12个**温控区域，每个区域控温精度达±2℃，通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率，助力8英寸碳化硅衬底量产！设备配备石墨隔热屏与真空密封结构，在10⁻⁴Pa真空环境下无杂质释放，与晶升股份等设备厂商联合调试适配，使衬底生产成本较进口方案降低30%以上，为新能源汽车、5G通信等领域提供**材料支撑！加热盘及配套一站式，省时省心，长期可信赖供应商。

针对半导体载板制造中的温控需求，国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺！采用不锈钢基材经硬化处理，表面硬度达HRC50以上，耐受载板加工过程中的机械冲击无变形！加热元件采用蛇形分布设计，加热面温度均匀性达±1℃，温度调节范围40℃-180℃，适配载板预加热、树脂固化等环节！配备真空吸附系统，可牢固固定不同尺寸载板（50mm×50mm至300mm×300mm），避免加工过程中位移导致的精度偏差！与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作，支持BT树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工，为Chiplet封装、扇出型封装提供高质量载板保障！工业级耐用加热盘，耐腐蚀抗冲击，适应严苛工况环境。中国香港刻蚀晶圆加热盘供应商

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针对原子层沉积工艺对温度的严苛要求，国瑞热控ALD**加热盘采用多分区温控设计，通过仿真优化加热丝布局，确保表面温度分布均匀性符合精密制程标准！设备温度调节范围覆盖室温至600℃，升温速率可达25℃/分钟，搭配铂电阻传感器实现±0.1℃的控温精度，满足ALD工艺中前驱体吸附与反应的温度窗口需求！采用氮化铝陶瓷基底与密封结构，在真空环境下无挥发性物质释放，且能抵御反应腔体内腐蚀性气体侵蚀！适配8英寸至12英寸晶圆规格，通过标准化接口与拓荆、中微等厂商的ALD设备无缝兼容，为原子层沉积的高保形性薄膜制备提供保障！苏州刻蚀晶圆加热盘

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