企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控高真空半导体加热盘,专为半导体精密制造的真空环境设计,实现无污染加热解决方案!产品采用特殊密封结构与高纯材质制造,所有部件均经过真空除气处理,在10⁻⁵Pa高真空环境下无挥发性物质释放,避免污染晶圆表面!加热元件采用嵌入式设计,与基材紧密结合,热量传递损耗降低30%,热效率***提升!通过内部温度场模拟优化,加热面均温性达±1℃,适配光学器件镀膜、半导体晶圆加工等洁净度要求严苛的场景!设备可耐受反复升温降温循环,在-50℃至500℃温度区间内结构稳定,为高真空环境下的精密制造提供符合洁净标准的温控保障!表面硬度强化处理,耐磨耐刮擦,保持长期美观实用。嘉定区晶圆键合加热盘

嘉定区晶圆键合加热盘,加热盘

针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺!采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达HRC50以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形!加热元件采用蛇形分布设计,加热面温度均匀性达±1℃,温度调节范围40℃-180℃,适配载板预加热、树脂固化等环节!配备真空吸附系统,可牢固固定不同尺寸载板(50mm×50mm至300mm×300mm),避免加工过程中位移导致的精度偏差!与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作,支持BT树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工,为Chiplet封装、扇出型封装提供高质量载板保障!浙江晶圆键合加热盘供应商均匀热场分布,避免局部过热,保护敏感样品工艺质量。

嘉定区晶圆键合加热盘,加热盘

国瑞热控针对离子注入后杂质***工艺,开发**加热盘适配快速热退火需求!采用氮化铝陶瓷基材,热导率达200W/mK,热惯性小,升温速率达60℃/秒,可在几秒内将晶圆加热至1000℃,且降温速率达40℃/秒,减少热预算对晶圆的影响!加热面采用激光打孔工艺制作微小散热孔,配合背面惰性气体冷却,实现晶圆正反面温度均匀(温差小于2℃)!配备红外高温计实时监测晶圆表面温度,测温精度±2℃,通过PID控制确保温度稳定,适配硼、磷等不同杂质的***温度需求(600℃-1100℃)!与应用材料离子注入机适配,使杂质***率提升至95%以上,为半导体器件的电学性能调控提供关键支持!

国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺,开发**加热盘适配MOCVD设备需求!采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层,在1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配,避免衬底开裂风险,热导率达150W/mK,确保热量均匀传递至衬底表面!内部设计8组**加热模块,通过PID精密控制实现±0.5℃的控温精度,精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口(1050℃-1150℃)!设备配备惰性气体导流通道,减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷,与中微公司MOCVD设备联合调试,使外延层厚度均匀性误差控制在3%以内,为5G射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持!热场分布均匀,避免局部过热,保护样品质量一致。

嘉定区晶圆键合加热盘,加热盘

借鉴空间站“双波长激光加热”原理,国瑞热控开发半导体激光加热盘,适配极端高温材料制备!采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层,表面可承受3000℃以上局部高温,配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热,实现“表面强攻+内部渗透”的加热效果!加热区域直径可在10mm-200mm间调节,温度响应时间小于1秒,控温精度±1℃,支持脉冲式加热模式!设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统,在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用,为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具!无锡国瑞热控专业定制加热盘,均匀发热,寿命超长,为实验与生产提供稳定可靠的热源解决方案,信赖之选!金山区半导体加热盘供应商

独特加热元件设计,热效率大幅提升,节能环保同时保证长期稳定运行。嘉定区晶圆键合加热盘

国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配RTP工艺需求,采用红外辐射与电阻加热复合技术,升温速率突破50℃/秒,可在数秒内将晶圆加热至1000℃以上!加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质,搭配多组**温控模块,通过PID闭环控制实现温度快速调节,降温速率达30℃/秒,有效减少热预算对晶圆性能的影响!表面喷涂抗热震涂层,可承受反复快速升降温循环而无开裂风险,使用寿命超20000次循环!设备集成温度实时监测系统,与应用材料Centura、东京电子Trias等主流炉管设备兼容,为先进制程中的离子***、缺陷修复工艺提供可靠支持!嘉定区晶圆键合加热盘

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