黄浦区晶圆键合加热盘厂家

针对半导体载板制造中的温控需求，国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺！采用不锈钢基材经硬化处理，表面硬度达HRC50以上，耐受载板加工过程中的机械冲击无变形！加热元件采用蛇形分布设计，加热面温度均匀性达±1℃，温度调节范围40℃-180℃，适配载板预加热、树脂固化等环节！配备真空吸附系统，可牢固固定不同尺寸载板（50mm×50mm至300mm×300mm），避免加工过程中位移导致的精度偏差！与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作，支持BT树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工，为Chiplet封装、扇出型封装提供高质量载板保障！多重安全保护设计，漏电过载超温防护，安全可靠。黄浦区晶圆键合加热盘厂家

国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以99.5%高纯氮化铝为基材，通过干压成型与1800℃高温烧结工艺制成，完美适配半导体高温工艺需求！其热导率可达220W/mK，热膨胀系数*4.03×10⁻⁶/℃，与硅晶圆热特性高度匹配，有效避免高温下因热应力导致的晶圆翘曲！内部嵌入钨制加热元件，经共烧工艺实现紧密结合，加热面温度均匀性控制在±1℃以内，工作温度上限提升至800℃，远超传统铝合金加热盘的450℃极限！表面经精密研磨抛光处理，平面度误差小于0.01mm，可耐受等离子体长期轰击无损伤，在晶圆退火、氧化等高温工艺中表现稳定，为国产替代提供高性能材质解决方案！天津晶圆级陶瓷加热盘非标定制工业级耐用加热盘，耐腐蚀抗冲击，适应严苛工况，保障生产连续性。

借鉴空间站“双波长激光加热”原理，国瑞热控开发半导体激光加热盘，适配极端高温材料制备！采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层，表面可承受3000℃以上局部高温，配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热，实现“表面强攻+内部渗透”的加热效果！加热区域直径可在10mm-200mm间调节，温度响应时间小于1秒，控温精度±1℃，支持脉冲式加热模式！设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统，在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用，为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具！

针对碳化硅衬底生长的高温需求，国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术，**温度梯度可控性差的行业难题！加热盘主体选用耐高温石墨基材，表面喷涂碳化硅涂层，在2200℃高温下仍保持结构稳定，热导率达180W/mK，适配PVT法、TSSG法等主流生长工艺！内部划分12个**温控区域，每个区域控温精度达±2℃，通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率，助力8英寸碳化硅衬底量产！设备配备石墨隔热屏与真空密封结构，在10⁻⁴Pa真空环境下无杂质释放，与晶升股份等设备厂商联合调试适配，使衬底生产成本较进口方案降低30%以上，为新能源汽车、5G通信等领域提供**材料支撑！耐高温导线配置，绝缘性能优异，确保用电安全可靠。

面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求，国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升！采用铝合金基体与石英玻璃复合结构，加热面平面度误差小于0.01mm，确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合！通过红外加热与接触式导热协同技术，升温速率达15℃/分钟，温度调节范围60℃-120℃，控温精度±0.3℃，适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节！表面经防反射涂层处理，减少深紫外光反射干扰，且具备快速冷却功能，从120℃降至室温*需8分钟，缩短工艺间隔！与上海微电子光刻机适配，使光刻图形线宽偏差控制在5nm以内，满足90nm至28nm制程的精密图形定义需求！低热容设计升温降温快，实现高效热循环，适合快速变温工艺。中国台湾晶圆级陶瓷加热盘

研发团队持续探索，新材料新工艺，效能不断提升。黄浦区晶圆键合加热盘厂家

针对半导体晶圆研磨后的应力释放需求，国瑞热控**加热盘以温和温控助力晶圆性能稳定！采用铝合金基体与柔性导热垫层复合结构，导热垫层硬度ShoreA30，可贴合研磨后晶圆表面微小凹凸，确保热量均匀传递！温度调节范围30℃-150℃，控温精度±0.8℃，支持阶梯式升温（每阶段升温5℃-10℃，保温10-30分钟），缓慢释放晶圆内部机械应力！配备氮气保护系统，避免加热过程中晶圆表面氧化，且加热盘表面粗糙度Ra小于0.05μm，无颗粒划伤晶圆风险！与硅产业集团、中环股份等晶圆厂商合作，使研磨后晶圆翘曲度降低20%以上，提升后续光刻、刻蚀工艺的良率！黄浦区晶圆键合加热盘厂家

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