企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

面向半导体热压键合工艺,国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量。采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构,加热面平面度误差小于 0.005mm,确保键合区域压力均匀传递。温度调节范围室温至 400℃,升温速率达 40℃/ 秒,可快速达到键合温度并保持稳定(温度波动 ±0.5℃),适配金 - 金、铜 - 铜等不同金属键合工艺。配备压力传感器与位移监测模块,实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移,通过闭环控制实现压力(0.1-10MPa)与温度的精细匹配。与 ASM 太平洋键合设备适配,使键合界面电阻降低至 5mΩ 以下,为高可靠性芯片互联提供保障。丰富行业经验积累,深入了解各行业需求,提供专业解决方案。甘肃陶瓷加热盘厂家

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国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能,可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线,适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准,拆卸维护无需特殊工具,大幅降低生产线停机时间。长宁区晶圆加热盘供应商远程监控功能可选,实时掌握设备状态,智能便捷管理。

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国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配 RTP 工艺需求,采用红外辐射与电阻加热复合技术,升温速率突破 50℃/ 秒,可在数秒内将晶圆加热至 1000℃以上。加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质,搭配多组**温控模块,通过 PID 闭环控制实现温度快速调节,降温速率达 30℃/ 秒,有效减少热预算对晶圆性能的影响。表面喷涂抗热震涂层,可承受反复快速升降温循环而无开裂风险,使用寿命超 20000 次循环。设备集成温度实时监测系统,与应用材料 Centura、东京电子 Trias 等主流炉管设备兼容,为先进制程中的离子***、缺陷修复工艺提供可靠支持。

国瑞热控推出半导体加热盘**温度监控软件,实现加热过程的数字化管理与精细控制。软件具备实时温度显示功能,可通过图表直观呈现加热盘各区域温度变化曲线,支持多台加热盘同时监控,方便生产线集中管理。内置温度数据存储与导出功能,可自动记录加热过程中的温度参数,存储时间长达 1 年,便于工艺追溯与质量分析。具备温度异常报警功能,当加热盘温度超出设定范围或出现波动异常时,自动发出声光报警并记录异常信息,提醒操作人员及时处理。软件兼容 Windows 与 Linux 操作系统,通过以太网与加热盘控制系统连接,安装调试便捷,适配国瑞全系列半导体加热盘,为半导体生产线的智能化管理提供技术支持。密封式设计防潮防尘耐腐蚀,适用于复杂环境特殊气氛。

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国瑞热控高真空半导体加热盘,专为半导体精密制造的真空环境设计,实现无污染加热解决方案。产品采用特殊密封结构与高纯材质制造,所有部件均经过真空除气处理,在 10⁻⁵Pa 高真空环境下无挥发性物质释放,避免污染晶圆表面。加热元件采用嵌入式设计,与基材紧密结合,热量传递损耗降低 30%,热效率***提升。通过内部温度场模拟优化,加热面均温性达 ±1℃,适配光学器件镀膜、半导体晶圆加工等洁净度要求严苛的场景。设备可耐受反复升温降温循环,在 - 50℃至 500℃温度区间内结构稳定,为高真空环境下的精密制造提供符合洁净标准的温控保障。客户需求为导向,快速响应询价定制,具有竞争力价格交期。金山区陶瓷加热盘生产厂家

热解决方案伙伴,深入探讨共同优化工艺热管理环节。甘肃陶瓷加热盘厂家

针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递。加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达 30W/mK,可在 30 秒内将晶圆温度提升至 900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤。表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准。配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过 PID 闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于 ±1℃。适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障。甘肃陶瓷加热盘厂家

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