吉林晶圆加热盘定制

针对半导体载板制造中的温控需求，国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理，表面硬度达 HRC50 以上，耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设计，加热面温度均匀性达 ±1℃，温度调节范围 40℃-180℃，适配载板预加热、树脂固化等环节。配备真空吸附系统，可牢固固定不同尺寸载板（50mm×50mm 至 300mm×300mm），避免加工过程中位移导致的精度偏差。与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作，支持 BT 树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工，为 Chiplet 封装、扇出型封装提供高质量载板保障。灵活功率配置可选，满足不同温度需求，应用范围广泛多样。吉林晶圆加热盘定制

国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计，采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材，通过多道精密研磨工艺，使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内，完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采用分区式加热元件布局，划分 8 个**温控区域，配合高精度铂电阻传感器，实现 ±0.8℃的控温精度，满足 7nm 至 14nm 制程对温度均匀性的严苛要求。设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式，适配不同类型的反应腔结构，升温速率达 20℃/ 分钟，工作温度范围覆盖室温至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺。通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作，已实现与国产 12 英寸晶圆生产线的无缝对接，为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑。嘉定区加热盘供应商优化散热结构设计，表面温度均匀一致，避免局部过热现象。

国瑞热控半导体封装加热盘，聚焦芯片封装环节的加热需求，为键合、塑封等工艺提供稳定热源。采用铝合金与云母复合结构，兼具轻质特性与优良绝缘性能，加热面功率密度可根据封装规格调整，比较高达 2W/CM²。通过优化加热元件排布，使封装区域温度均匀性达 95% 以上，确保焊料均匀熔融与键合强度稳定。设备配备快速响应温控系统，从室温升至 250℃*需 8 分钟，且温度波动小于 ±2℃，适配不同封装材料的固化需求。表面采用防氧化处理，使用寿命超 30000 小时，搭配模块化设计，可根据封装生产线布局灵活组合，为半导体封装的高效量产提供支持。

针对晶圆清洗后的烘干环节，国瑞热控**加热盘以洁净高效的特性适配严苛需求。产品采用高纯不锈钢基材，表面经电解抛光与钝化处理，粗糙度 Ra 小于 0.2μm，减少水分子附着与杂质残留。加热面采用蜂窝状导热结构，使热量均匀分布，晶圆表面温度差控制在 ±2℃以内，避免因局部过热导致的晶圆翘曲。温度调节范围覆盖 50℃至 150℃，支持阶梯式升温程序，适配不同清洗液的烘干需求。设备整体采用无死角结构设计，清洁时*需用高纯酒精擦拭即可，符合半导体制造的高洁净标准，为清洗后晶圆的干燥质量与后续工艺衔接提供保障。专业应用工程师团队，提供工艺优化建议，创造更大价值。

电控晶圆加热盘：半导体工艺的准确温控重点。无锡国瑞热控的电控晶圆加热盘，以创新结构设计解释半导体制造的温控难题。其底盘内置螺旋状发热电缆与均温膜，通过热量传导路径优化，使加热面均温性达到行业高标准，确保晶圆表面温度分布均匀，为光刻胶涂布等关键工艺提供稳定环境。搭配高精度温度传感器与限温开关，温度波动可控制在极小范围，适配 6 英寸至 12 英寸不同规格晶圆需求。设备采用卡接组件连接上盘与底盘，通过转盘驱动齿轮结构实现快速拆装，大幅降低检修维护的停机时间，完美契合半导体量产线的高效运维需求。加热盘及配套一站式，省时省心，长期可信赖供应商。广东晶圆键合加热盘定制

宽泛工作温度范围，满足低温烘烤到高温烧结不同需求。吉林晶圆加热盘定制

国瑞热控针对半导体量子点制备需求，开发**加热盘适配胶体化学合成工艺。采用聚四氟乙烯密封腔体与不锈钢加热基体复合结构，耐有机溶剂腐蚀，且无金属离子溶出污染量子点溶液。内置高精度温度传感器，测温精度达 ±0.1℃，温度调节范围 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分钟的慢速升温，为量子点成核、生长提供精细热环境。配备磁力搅拌协同系统，使溶液温度与搅拌速率同步可控，确保量子点尺寸均一性（粒径偏差小于 5%）。与中科院化学所等科研团队合作，成功制备 CdSe、PbS 等多种量子点，其荧光量子产率达 80% 以上，为量子点显示、生物成像等领域提供**制备设备。吉林晶圆加热盘定制

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