企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺,开发**加热盘适配 MOCVD 设备需求。采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层,在 1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配,避免衬底开裂风险,热导率达 150W/mK,确保热量均匀传递至衬底表面。内部设计 8 组**加热模块,通过 PID 精密控制实现 ±0.5℃的控温精度,精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口(1050℃-1150℃)。设备配备惰性气体导流通道,减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷,与中微公司 MOCVD 设备联合调试,使外延层厚度均匀性误差控制在 3% 以内,为 5G 射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持。个性化定制服务,根据工艺需求特殊设计,完美匹配应用。中国台湾加热盘生产厂家

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针对半导体制造中的高真空工艺需求,国瑞热控开发**真空密封组件,确保加热盘在真空环境下稳定运行。组件采用氟橡胶与金属骨架复合结构,耐温范围覆盖 - 50℃至 200℃,可长期在 10⁻⁵Pa 真空环境下使用无泄漏。密封件与加热盘接口精细匹配,通过多道密封设计提升真空密封性,避免反应腔体内真空度下降影响工艺质量。组件安装过程简单,无需特殊工具,且具备良好的耐磨性与抗老化性能,使用寿命超 5000 次拆装循环。适配 CVD、PVD 等真空工艺用加热盘,与国产真空设备厂商的反应腔体兼容,为半导体制造中的高真空环境提供可靠密封保障,助力提升工艺稳定性与产品良率。杨浦区加热盘生产厂家重视客户反馈,持续改进产品服务,体验专业贴心。

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借鉴晶圆键合工艺的技术需求,国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构,通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀,高温下表面平整度误差控制在 0.02mm 以内。加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复合基材,兼具低热膨胀系数与高导热性,温度均匀性达 ±1.5℃,适配室温至 450℃的键合温度需求。底部设计双层隔热结构,***层阻隔热量向下传导,第二层快速散热避免设备腔体温升过高。配备精细压力控制模块,可根据键合类型调整吸附力,在硅 - 硅直接键合、金属键合等工艺中确保界面贴合紧密,提升键合良率。

国瑞热控高真空半导体加热盘,专为半导体精密制造的真空环境设计,实现无污染加热解决方案。产品采用特殊密封结构与高纯材质制造,所有部件均经过真空除气处理,在 10⁻⁵Pa 高真空环境下无挥发性物质释放,避免污染晶圆表面。加热元件采用嵌入式设计,与基材紧密结合,热量传递损耗降低 30%,热效率***提升。通过内部温度场模拟优化,加热面均温性达 ±1℃,适配光学器件镀膜、半导体晶圆加工等洁净度要求严苛的场景。设备可耐受反复升温降温循环,在 - 50℃至 500℃温度区间内结构稳定,为高真空环境下的精密制造提供符合洁净标准的温控保障。严格老化测试性能检验,确保产品零缺陷,品质有保障。

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针对 12 英寸及以上大尺寸晶圆的制造需求,国瑞热控大尺寸半导体加热盘以创新结构设计实现高效温控。产品采用多模块拼接式结构,单模块加热面积可达 1500cm²,通过标准化接口可灵活组合成更大尺寸加热系统,适配不同产能的生产线需求。每个模块配备**温控单元,通过**控制系统协同工作,确保整个加热面温度均匀性控制在 ±1.5℃以内。采用轻量化**度基材,在保证结构稳定性的同时降低设备重量,便于安装与维护。表面经精密加工确保平整度,与大尺寸晶圆完美贴合,减少热传导损耗,为先进制程中大规模晶圆的均匀加热提供可靠解决方案。严格出厂检测流程,多项性能测试,确保每台设备质量可靠。陕西刻蚀晶圆加热盘定制

热响应速度快,快速达温稳定,减少等待时间提升效率。中国台湾加热盘生产厂家

针对化学气相沉积工艺的复杂反应环境,国瑞热控 CVD 电控加热盘以多维技术创新**温控难题。加热盘内置多区域**温控模块,可根据反应腔不同区域需求实现差异化控温,温度调节范围覆盖室温至 600℃,满足各类 CVD 反应的温度窗口要求。采用特种绝缘材料与密封结构设计,能耐受反应腔内部腐蚀性气体侵蚀,同时具备 1500V/1min 的电气强度,无击穿闪络风险。搭配高精度铂电阻传感器,实时测温精度达 ±0.5℃,通过 PID 闭环控制确保温度波动小于 ±1℃,为晶圆表面材料的均匀沉积与性能稳定提供关键保障,适配集成电路制造的规模化生产需求。中国台湾加热盘生产厂家

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