面向半导体新材料研发场景,国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材,工作温度范围覆盖 500℃-2000℃,可通过程序设定实现阶梯式升温,升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点,实时监测温度分布,数据采样频率达 10Hz,支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑(直径 30cm),重量* 5kg,配备小型真空腔体与惰性气体接口,适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求,已服务于中科院半导体所等科研机构。专业团队技术支持,从选型到安装全程指导,解决您的后顾之忧。广东涂胶显影加热盘定制

借鉴空间站 “双波长激光加热” 原理,国瑞热控开发半导体激光加热盘,适配极端高温材料制备。采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层,表面可承受 3000℃以上局部高温,配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热,实现 “表面强攻 + 内部渗透” 的加热效果。加热区域直径可在 10mm-200mm 间调节,温度响应时间小于 1 秒,控温精度 ±1℃,支持脉冲式加热模式。设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统,在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用,为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具。常州高精度均温加热盘供应商电热转换效率高,降低运营成本,实现绿色生产。

国瑞热控推出半导体加热盘专项维修服务,针对加热元件老化、温度均匀性下降等常见问题提供系统解决方案。服务流程涵盖外观检测、绝缘性能测试、温度场扫描等 12 项检测项目,精细定位故障点。采用原厂匹配的氮化铝陶瓷基材与加热元件,维修后的加热盘温度均匀性恢复至 ±1℃以内,使用寿命延长至新设备的 80% 以上。配备专业维修团队,可提供上门服务与设备现场调试,单台维修周期控制在 7 个工作日以内,大幅缩短生产线停机时间。建立维修档案与质保体系,维修后提供 6 个月质量保障,为企业降低设备更新成本,提升资产利用率。
针对车载半导体高可靠性需求,国瑞热控测试加热盘适配 AEC-Q100 标准。采用**级铝合金基材,通过 - 55℃至 150℃高低温循环测试 5000 次无变形,加热面平整度误差小于 0.03mm。温度调节范围覆盖 - 40℃至 200℃,升降温速率达 30℃/ 分钟,可模拟车载芯片在极端环境下的工作状态。配备 100 组可编程温度曲线,支持持续 1000 小时老化测试,与比亚迪半导体、英飞凌等企业适配,通过温度冲击、湿热循环等可靠性验证,为新能源汽车电控系统提供质量保障。表面特殊处理耐腐蚀易清洁,适用于化学实验室食品加工。

国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计,采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材,通过多道精密研磨工艺,使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内,完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采用分区式加热元件布局,划分 8 个**温控区域,配合高精度铂电阻传感器,实现 ±0.8℃的控温精度,满足 7nm 至 14nm 制程对温度均匀性的严苛要求。设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式,适配不同类型的反应腔结构,升温速率达 20℃/ 分钟,工作温度范围覆盖室温至 600℃,可兼容 PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺。通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作,已实现与国产 12 英寸晶圆生产线的无缝对接,为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑。低热容设计升温降温快,实现高效热循环,适合快速变温工艺。中国香港晶圆键合加热盘定制
深厚热控经验,针对性选型建议,解决应用难题。广东涂胶显影加热盘定制
针对 12 英寸及以上大尺寸晶圆的制造需求,国瑞热控大尺寸半导体加热盘以创新结构设计实现高效温控。产品采用多模块拼接式结构,单模块加热面积可达 1500cm²,通过标准化接口可灵活组合成更大尺寸加热系统,适配不同产能的生产线需求。每个模块配备**温控单元,通过**控制系统协同工作,确保整个加热面温度均匀性控制在 ±1.5℃以内。采用轻量化**度基材,在保证结构稳定性的同时降低设备重量,便于安装与维护。表面经精密加工确保平整度,与大尺寸晶圆完美贴合,减少热传导损耗,为先进制程中大规模晶圆的均匀加热提供可靠解决方案。广东涂胶显影加热盘定制
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递!加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达30W/mK,可在30秒内将晶圆温度提升至900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤!表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准!配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过PID闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于±1℃!适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障!工...