RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在柔性电子制造中的适应性柔性电子使用塑料或薄膜基板,对热和机械应力敏感。RPS远程等离子源通过低温操作,避免了基板变形或降解。其非接触式清洗去除了污染物,提升了导电迹线的附着力。在OLED照明或可穿戴设备制造中,RPS远程等离子源确保了工艺的可重复性。随着柔性市场增长,该技术提供了必要的精度和灵活性。RPS远程等离子源的未来发展趋势随着制造业向更小节点和更复杂材料发展,RPS远程等离子源正不断进化。未来版本可能集成AI实时优化,或支持更高频率的等离子体生成。在可持续发展方面,RPS远程等离子源将聚焦于更节能的设计和可回收气体。其应用也可能扩展到新能源或生物医学领域。东莞市晟鼎精密仪器有限公司致力于创新,推动RPS远程等离子源成为智能制造的基石。为晶圆键合工艺提供超高洁净度界面。福建国产RPS腔体清洗

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RPS远程等离子源采用独特的空间分离设计,将等离子体激发区与工艺处理区物理隔离。在激发腔内通过射频电源将工艺气体(如O2、CF4、N2等)电离形成高密度等离子体,而长寿命的活性自由基则通过输运系统进入反应腔室。这种设计使得RPS远程等离子源能够在不直接接触工件的情况下,实现表面清洗、刻蚀和活化等工艺。在半导体前端制造中,RPS远程等离子源特别适用于栅极氧化前的晶圆清洗,能有效去除有机残留和金属污染物,同时避免栅氧层损伤。其自由基浓度可稳定控制在1010-1012/cm³范围,确保工艺重复性优于±2%。湖北远程等离子电源RPS哪家好远程等离子体源(Remote Plasma Source,RPS)是一种用于产生等离子体的装置。

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RPS远程等离子源在MEMS制造中的精密处理:MEMS器件包含敏感的机械结构,易受等离子体损伤。RPS远程等离子源通过远程等离子体生成,消除了带电粒子的影响,只利用中性自由基进行清洗或刻蚀。这在释放步骤或无偿层去除中尤为重要,避免了静电荷积累导致的结构粘附。此外,RPS远程等离子源的均匀性确保了整个晶圆上的处理一致性,提高了器件性能和良率。随着MEMS应用扩展到医疗和汽车领域,RPS远程等离子源提供了所需的精度和可靠性。

RPS远程等离子源应用领域在半导体前道制程中尤为关键,特别是在高级 逻辑芯片和存储芯片的晶圆清洗环节。随着技术节点向5纳米乃至更小尺寸迈进,任何微小的污染和物理损伤都可能导致器件失效。传统的湿法清洗或直接等离子体清洗难以避免图案倾倒、关键尺寸改变或材料损伤等问题。而RPS远程等离子源通过物理分离等离子体产生区与处理区,只将高活性的氧自由基、氢自由基等中性粒子输送到晶圆表面,能够在不施加物理轰击的情况下,高效去除光刻胶残留、有机污染物和金属氧化物。这种温和的非接触式处理方式,能将对脆弱的FinFET结构或栅极氧化层的损伤降至比较低,确保了器件的电学性能和良率。因此,在先进制程的预扩散清洗、预栅极清洗以及刻蚀后残留物去除等关键步骤中,RPS远程等离子源应用领域已成为不可或缺的工艺选择,为摩尔定律的持续推进提供了可靠的表面处理保障。远程等离子体源RPS腔体结构,包括进气口,点火口。

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RPS远程等离子源在汽车电子中的可靠性保障针对汽车电子功率模块的散热需求,RPS远程等离子源优化了界面处理工艺。通过N2/H2远程等离子体活化氮化铝基板,将热阻从1.2K/W降至0.8K/W。在传感器封装中,采用O2/Ar远程等离子体清洗焊盘,将焊点抗拉强度提升至45MPa,使器件通过3000次温度循环测试(-40℃至125℃)。RPS远程等离子源在航空航天电子中的特殊应用为满足航空航天电子器件的极端可靠性要求,RPS远程等离子源开发了高真空兼容工艺。在SiC功率器件制造中,通过He/O2远程等离子体在10-6Pa真空环境下进行表面处理,将栅氧击穿电场强度提升至12MV/cm。在辐射加固电路中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在5×109/cm²·eV以下,确保器件在100krad总剂量辐射下保持正常工作。用于磁性存储器件的精密图形化刻蚀工艺。上海半导体设备RPS光伏设备清洗

在声学器件制造中提升谐振性能。福建国产RPS腔体清洗

晟鼎远程等离子体电源RPS的应用类型:1.CVD腔室清洁①清洁HDP-CVD腔(使用F原子)②清洁PECVD腔(使用F原子)③清洁Low-kCVD腔(使用O原子、F原子)④清洁WCVD腔(使用F原子)2.表面处理、反应性刻蚀和等离子体辅助沉积①通过反应替代 (biao面氧化)进行表面改性②辅助PECVD③使用预活化氧气和氮气辅助低压反应性溅射沉积④使用预活化氧气和氮气进行反应性蒸发沉积⑤等离子体增强原子层沉积(PEALD)3.刻蚀:①灰化(除去表面上的碳类化合物);②使用反应性含氧气体粒子处理光刻胶。福建国产RPS腔体清洗

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