企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以 99.5% 高纯氮化铝为基材,通过干压成型与 1800℃高温烧结工艺制成,完美适配半导体高温工艺需求。其热导率可达 220W/mK,热膨胀系数* 4.03×10⁻⁶/℃,与硅晶圆热特性高度匹配,有效避免高温下因热应力导致的晶圆翘曲。内部嵌入钨制加热元件,经共烧工艺实现紧密结合,加热面温度均匀性控制在 ±1℃以内,工作温度上限提升至 800℃,远超传统铝合金加热盘的 450℃极限。表面经精密研磨抛光处理,平面度误差小于 0.01mm,可耐受等离子体长期轰击无损伤,在晶圆退火、氧化等高温工艺中表现稳定,为国产替代提供高性能材质解决方案。持续改进服务理念,听取客户反馈,不断提升产品性能。黄浦区半导体加热盘厂家

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国瑞热控开发加热盘智能诊断系统,通过多维度数据监测实现故障预判。系统集成温度波动分析、绝缘性能检测、功率曲线对比三大模块,可识别加热元件老化、密封失效等 12 类常见故障,提**0 天发出预警。采用边缘计算芯片实时处理数据,延迟小于 100ms,通过以太网上传至云平台,支持手机端远程查看设备状态。配备故障诊断数据库,已积累 1000 + 设备运行案例,诊断准确率达 95% 以上。适配国瑞全系列加热盘,与半导体工厂 MES 系统兼容,使设备维护从 “事后修理” 转为 “事前预判”,减少非计划停机时间。江苏陶瓷加热盘非标定制模块化设计便于维护更换,减少停机时间,提升产能。

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针对等离子体刻蚀环境的特殊性,国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构,表面硬度达莫氏 9 级,可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝,经后嵌工艺固定,避免高温下电极氧化影响加热性能,工作温度范围覆盖室温至 500℃,控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道,与加热元件形成热平衡调节系统,快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构,电气强度达 2000V/1min,在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定,适配中微半导体刻蚀机等主流设备,为图形转移工艺提供可靠温控。

针对碳化硅衬底生长的高温需求,国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术,**温度梯度可控性差的行业难题。加热盘主体选用耐高温石墨基材,表面喷涂碳化硅涂层,在 2200℃高温下仍保持结构稳定,热导率达 180W/mK,适配 PVT 法、TSSG 法等主流生长工艺。内部划分 12 个**温控区域,每个区域控温精度达 ±2℃,通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率,助力 8 英寸碳化硅衬底量产。设备配备石墨隔热屏与真空密封结构,在 10⁻⁴Pa 真空环境下无杂质释放,与晶升股份等设备厂商联合调试适配,使衬底生产成本较进口方案降低 30% 以上,为新能源汽车、5G 通信等领域提供**材料支撑。结构紧凑安装便捷,多重安全保护,使用安心无顾虑。

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面向半导体新材料研发场景,国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材,工作温度范围覆盖 500℃-2000℃,可通过程序设定实现阶梯式升温,升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点,实时监测温度分布,数据采样频率达 10Hz,支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑(直径 30cm),重量* 5kg,配备小型真空腔体与惰性气体接口,适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求,已服务于中科院半导体所等科研机构。深厚热控经验,针对性选型建议,解决应用难题。河北高精度均温加热盘

多重安全保护设计,漏电过载超温防护,构建安全工作环境。黄浦区半导体加热盘厂家

面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线,实现 1mm×1mm 精细温控分区,温度调节范围覆盖室温至 300℃,控温精度 ±0.3℃,适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统,在键合过程中同步调节温度与压力参数,减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配,支持 2.5D/3D 封装架构,为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。黄浦区半导体加热盘厂家

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