天津高精度均温加热盘生产厂家

国瑞热控封装测试**加热盘聚焦半导体后道工艺需求，采用轻量化铝合金材质，通过精密加工确保加热面平整度误差小于 0.05mm，适配不同尺寸封装器件的测试需求。加热元件采用片状分布设计，热响应速度快，可在 5 分钟内将测试温度稳定在 - 40℃至 150℃之间，满足高低温循环测试、老化测试等场景要求。表面采用防粘涂层处理，减少测试过程中污染物附着，且易于清洁维护。配备可编程温控系统，支持自定义测试温度曲线，可存储 100 组以上测试参数，方便不同型号器件的测试切换。与长电科技、通富微电等封装测试企业合作，适配其自动化测试生产线，为半导体器件可靠性验证提供精细温度环境，助力提升产品良率。灵活功率配置可选，满足不同温度需求，应用范围广泛多样。天津高精度均温加热盘生产厂家

面向半导体热压键合工艺，国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量。采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构，加热面平面度误差小于 0.005mm，确保键合区域压力均匀传递。温度调节范围室温至 400℃，升温速率达 40℃/ 秒，可快速达到键合温度并保持稳定（温度波动 ±0.5℃），适配金 - 金、铜 - 铜等不同金属键合工艺。配备压力传感器与位移监测模块，实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移，通过闭环控制实现压力（0.1-10MPa）与温度的精细匹配。与 ASM 太平洋键合设备适配，使键合界面电阻降低至 5mΩ 以下，为高可靠性芯片互联提供保障。嘉定区涂胶显影加热盘非标定制专业定制加热盘，快速升温寿命长，满足半导体医疗科研需求。

借鉴晶圆键合工艺的技术需求，国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构，通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀，高温下表面平整度误差控制在 0.02mm 以内。加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复合基材，兼具低热膨胀系数与高导热性，温度均匀性达 ±1.5℃，适配室温至 450℃的键合温度需求。底部设计双层隔热结构，***层阻隔热量向下传导，第二层快速散热避免设备腔体温升过高。配备精细压力控制模块，可根据键合类型调整吸附力，在硅 - 硅直接键合、金属键合等工艺中确保界面贴合紧密，提升键合良率。

国瑞热控高真空半导体加热盘，专为半导体精密制造的真空环境设计，实现无污染加热解决方案。产品采用特殊密封结构与高纯材质制造，所有部件均经过真空除气处理，在 10⁻⁵Pa 高真空环境下无挥发性物质释放，避免污染晶圆表面。加热元件采用嵌入式设计，与基材紧密结合，热量传递损耗降低 30%，热效率***提升。通过内部温度场模拟优化，加热面均温性达 ±1℃，适配光学器件镀膜、半导体晶圆加工等洁净度要求严苛的场景。设备可耐受反复升温降温循环，在 - 50℃至 500℃温度区间内结构稳定，为高真空环境下的精密制造提供符合洁净标准的温控保障。严格质量管理体系，ISO认证工厂生产，品质有保障。

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺，采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，减少光刻胶涂布缺陷。加热面划分 6 个**温控区域，通过仿真优化的加热元件布局，使温度均匀性达 ±0.5℃，避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均。温度调节范围覆盖 60℃至 150℃，升温速率 10℃/ 分钟，搭配无接触红外测温系统，实时监测晶圆表面温度并动态调节。设备兼容 6 英寸至 12 英寸光刻机配套需求，与 ASML、尼康等设备的制程参数匹配，为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境。特殊尺寸功率定制，快速响应需求，量身打造方案。陕西刻蚀晶圆加热盘供应商

升温迅速表面温差小，过热保护安全耐用，为设备护航。天津高精度均温加热盘生产厂家

面向半导体新材料研发场景，国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材，工作温度范围覆盖 500℃-2000℃，可通过程序设定实现阶梯式升温，升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点，实时监测温度分布，数据采样频率达 10Hz，支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑（直径 30cm），重量* 5kg，配备小型真空腔体与惰性气体接口，适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求，已服务于中科院半导体所等科研机构。天津高精度均温加热盘生产厂家

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