面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求,国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升。采用铝合金基体与石英玻璃复合结构,加热面平面度误差小于 0.01mm,确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合。通过红外加热与接触式导热协同技术,升温速率达 15℃/ 分钟,温度调节范围 60℃-120℃,控温精度 ±0.3℃,适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节。表面经防反射涂层处理,减少深紫外光反射干扰,且具备快速冷却功能,从 120℃降至室温*需 8 分钟,缩短工艺间隔。与上海微电子光刻机适配,使光刻图形线宽偏差控制在 5nm 以内,满足 90nm 至 28nm 制程的精密图形定义需求。独特加热元件绝缘设计,热效率大幅提升,节能环保稳定安全。无锡半导体晶圆加热盘供应商

国瑞热控封装测试**加热盘聚焦半导体后道工艺需求,采用轻量化铝合金材质,通过精密加工确保加热面平整度误差小于 0.05mm,适配不同尺寸封装器件的测试需求。加热元件采用片状分布设计,热响应速度快,可在 5 分钟内将测试温度稳定在 - 40℃至 150℃之间,满足高低温循环测试、老化测试等场景要求。表面采用防粘涂层处理,减少测试过程中污染物附着,且易于清洁维护。配备可编程温控系统,支持自定义测试温度曲线,可存储 100 组以上测试参数,方便不同型号器件的测试切换。与长电科技、通富微电等封装测试企业合作,适配其自动化测试生产线,为半导体器件可靠性验证提供精细温度环境,助力提升产品良率。浙江探针测试加热盘结构设计紧凑合理,安装维护简便快捷,有效提升设备使用效率。

国瑞热控推出加热盘节能改造方案,针对存量设备能耗高问题提供系统升级。采用石墨烯导热涂层技术提升热传导效率,配合智能温控算法优化加热功率输出,使单台设备能耗降低 20% 以上。改造内容包括加热元件更换、隔热层升级与控制系统迭代,保留原有设备主体结构,改造成本*为新设备的 40%。升级后的加热盘温度响应速度提升 30%,温度波动控制在 ±1℃以内,符合半导体行业节能标准。已为华虹半导体等企业完成 200 余台设备改造,年节约电费超百万元,助力半导体工厂实现绿色生产转型。
国瑞热控半导体封装加热盘,聚焦芯片封装环节的加热需求,为键合、塑封等工艺提供稳定热源。采用铝合金与云母复合结构,兼具轻质特性与优良绝缘性能,加热面功率密度可根据封装规格调整,比较高达 2W/CM²。通过优化加热元件排布,使封装区域温度均匀性达 95% 以上,确保焊料均匀熔融与键合强度稳定。设备配备快速响应温控系统,从室温升至 250℃*需 8 分钟,且温度波动小于 ±2℃,适配不同封装材料的固化需求。表面采用防氧化处理,使用寿命超 30000 小时,搭配模块化设计,可根据封装生产线布局灵活组合,为半导体封装的高效量产提供支持。高精度温控可达±1℃,满足半导体等严苛工艺需求。

国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能,可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线,适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准,拆卸维护无需特殊工具,大幅降低生产线停机时间。灵活功率配置可选,满足不同温度需求,应用范围广泛多样。安徽高精度均温加热盘
多种安装方式可选,灵活适配不同设备,安装简便快捷。无锡半导体晶圆加热盘供应商
国瑞热控推出半导体加热盘**温度监控软件,实现加热过程的数字化管理与精细控制。软件具备实时温度显示功能,可通过图表直观呈现加热盘各区域温度变化曲线,支持多台加热盘同时监控,方便生产线集中管理。内置温度数据存储与导出功能,可自动记录加热过程中的温度参数,存储时间长达 1 年,便于工艺追溯与质量分析。具备温度异常报警功能,当加热盘温度超出设定范围或出现波动异常时,自动发出声光报警并记录异常信息,提醒操作人员及时处理。软件兼容 Windows 与 Linux 操作系统,通过以太网与加热盘控制系统连接,安装调试便捷,适配国瑞全系列半导体加热盘,为半导体生产线的智能化管理提供技术支持。无锡半导体晶圆加热盘供应商
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺,开发**加热盘适配MOCVD设备需求!采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层,在1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配,避免衬底开裂风险,热导率达150W/mK,确保热量均匀传递至衬底表面!内部设计8组**加热模块,通过PID精密控制实现±0.5℃的控温精度,精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口(1050℃-1150℃)!设备配备惰性气体导流通道,减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷,与中微公司MOCVD设备联合调试,使外延层厚度均匀性误差控制在3%以内,为5G射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持!高效稳定耐用三大优势,广泛应用于塑料封装材料合成等领域。奉贤区涂胶...