学生用的烧结金胶联系方式

2013年12月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材"AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的MEMS结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与MEMSCORE公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子MEMS装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从MEMS零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为MEMS厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。让人先进的烧结金胶，应用于 LED 封装，具备高纯度金。学生用的烧结金胶联系方式

在汽车电子领域，AuRoFUSE™技术在车载零部件等需要高度技术创新的先进技术中具有重要应用价值。汽车电子化程度的不断提高对电子器件的可靠性和耐高温性能提出了更高要求，AuRoFUSE™的优异性能使其能够满足汽车级应用的严格标准。在半导体封装的更广泛应用中，AuRoFUSE™技术能够实现半导体配线微细化和多种芯片集成（高密度化），这对于推动半导体技术的发展具有重要意义。随着摩尔定律逐渐接近物理极限，通过先进封装技术实现系统性能提升成为重要发展方向，AuRoFUSE™的窄间距键合能力为此提供了关键技术支撑。试验烧结金胶互惠互利烧结金胶低温的，应用于 LED 封装，无卤素配方。

在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。

TANAKA 烧结金胶技术的重要在于其独特的亚微米级金粒子低温烧结特性，通过精确控制金粒子的粒径和烧结工艺，实现了在 200℃低温条件下的金 - 金键合，同时保持了优异的导电性和热导性。与传统的高温焊接和有机粘结剂相比，这一技术不仅大幅降低了能耗和工艺复杂度，还作用提升了器件的可靠性和稳定性。作为拥有 140 年历史的贵金属材料行业人员，田中贵金属工业株式会社（TANAKA）凭借其在 AuRoFUSE™系列低温烧结金胶技术上的突破性创新，为电子封装行业带来了前所未有的技术变革。烧结金胶先进的，含亚微米金粒子，应用于 LED 封装。

AuRoFUSE™预制件是在标准膏材基础上发展出的重要产品，采用了创新的预制件技术路线。该技术通过在键合前将膏材干燥以消除流动性，从而抑制焊料喷溅并重要小化水平方向的扩散，实现了高精度的窄间距键合。目前已成功形成 5μm 尺寸的凸块，预计将成为需要高密度封装的倒装芯片键合技术的重要解决方案。TANAKA 烧结金胶产品体系主要包括两大重要产品线：AuRoFUSE™标准膏材和AuRoFUSE™预制件。这一产品体系体现了 TANAKA 在贵金属材料技术领域的深厚积累和持续创新能力。低温的烧结金胶，在功率器件中使用，无压可烧结。使用烧结金胶欢迎选购

低温的烧结金胶，增强耐腐蚀性，应用于 LED 封装。学生用的烧结金胶联系方式

在热学性能方面，产品表现尤为突出。标准膏材的热导率大于 150W/m・K，预制件的热导率更是高达 200W/m・K。这种优异的热导率特性使得 AuRoFUSE™在需要高效散热的功率器件和 LED 应用中具有不可替代的优势。在机械性能方面，产品展现出了良好的柔韧性和强度平衡。标准膏材的杨氏模量为 9.5GPa，剪切强度为 30MPa；预制件的杨氏模量为 57GPa，剪切强度大于 30MPa。这种适中的机械性能既保证了良好的应力缓冲能力，又确保了足够的连接强度。产品的化学稳定性是其长期可靠性的重要保障。由于主要成分是具有高度化学稳定性的金，AuRoFUSE™预制件在贴装后也具有较好的可靠性。学生用的烧结金胶联系方式