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    【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份有限公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）***通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司（InfineonTechnologiesAustriaAG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience(Zhuhai)TechnologyCompany,Ltd.）、英诺赛科美国公司（InnoscienceAmerica,Inc）及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国**寻求长久禁令。该**权利要求涉及氮化镓功率半导体的**方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。该诉讼是在加利福尼亚州北区地方法院提起的。英飞凌指控英诺赛科生产、使用、销售、要约销售和/或向美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述**，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。英飞凌电源与传感系统事业部总裁AdamWhite表示："氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。英飞凌拥有近二十年在氮化镓领域的经验，能够保证**终产品达到其**高性能所需的***品质。我们积极保护我们的知识产权，从而符合所有客户和**终用户的利益。"数十年来。 深圳市华芯源电子有限公司提供infineon/英飞凌IC芯片技术支持。TSON-8INFINEON英飞凌半导体

    在计算机的世界里，集成电路是当之无愧的 “大脑”。CPU作为计算机的运算重心，由复杂的集成电路构成。它能够以极高的速度处理海量的数据和指令，从简单的文字处理到复杂的科学计算、图形渲染等任务，都离不开 CPU 的强大运算能力。而内存芯片则以集成电路的形式存储着计算机运行时的数据和程序代码，其读写速度和存储容量直接影响着计算机的整体性能。此外，计算机中的各种控制芯片、接口芯片等也均为集成电路，它们协同工作，确保计算机各部件之间的高效通信与协调运作。随着集成电路技术的不断升级，计算机的性能持续提升，从大型机到个人电脑，再到如今的移动智能终端，集成电路的创新让计算能力无处不在，深刻改变了人们的工作、学习和娱乐模式。LQFP64TLE7258DXUMA1INFINEON英飞凌INFINEON英飞凌计数器IC可编程逻辑IC价格。

    英飞凌在中国市场的发展，为中国的半导体产业带来了先进的技术和管理经验，促进了中国半导体产业的技术进步和产业升级。其产品和解决方案广泛应用于中国的汽车、工业、消费电子等领域，推动了这些领域的发展和创新，为中国的经济发展做出了重要贡献。英飞凌将继续专注于技术创新和产品研发，不断推出更先进的半导体产品和系统解决方案。随着汽车电动化、智能化和软件定义汽车的加速发展，以及工业自动化、物联网、人工智能等领域的快速崛起，英飞凌有望在这些领域继续发挥重要作用，进一步扩大市场份额，实现持续增长。同时，英飞凌将继续加强与全球各地的企业和机构的合作，共同推动半导体技术的进步和应用。

    英飞凌的XENSIVTM系列传感器产品组合丰富，包括MEMS麦克风、数字化大气压力传感器等。这些传感器以其高精度、低功耗和强大的环境适应性，在健康监测、手势控制和检测等领域发挥重要作用。例如，MEMS麦克风在智能手机、智能音箱等消费类电子产品中得到广泛应用，为用户提供清晰的语音通话和语音识别体验。在安全应用领域，英飞凌的OPTIGATM产品系列提供安全芯片解决方案，包括身份验证、品牌保护和高级安全应用。这些芯片广泛应用于支付卡、护照和其他官方文件的安全解决方案中，为物联网和消费类设备提供强大的安全保障。随着物联网技术的快速发展，英飞凌的安全芯片解决方案在保护用户隐私和数据安全方面发挥着越来越重要的作用。INFINEON英飞凌开关IC无线和射频集成电路配单。

    英飞凌重视人才培养和发展，为员工提供广阔的职业发展空间和良好的工作环境。公司拥有完善的培训体系和人才晋升机制，鼓励员工不断学习和提升自己的专业技能。吸引了全球各地的优秀人才加入，为公司的持续发展提供了强大的人才支持。随着全球半导体行业的竞争日益激烈，英飞凌面临着来自其他半导体企业的竞争压力。在技术创新方面，需要不断投入大量的研发资源，以保持前列地位。同时，还需要应对市场需求的快速变化和宏观经济环境的不确定性，以及供应链管理等方面的挑战。英飞凌infineon 一级分销,德国英飞凌可控硅,大量现货货，价格优惠。TO-263SAL-TC387QP-160F300S ADINFINEON英飞凌

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    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™MOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上***款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。英飞凌**率系列IGBT7模块有多香？。 TSON-8INFINEON英飞凌半导体