若设定比较器周期值为T1PR,当启动计数器计数时,计数寄存器T1CNT的值在每个周期由0增加至T1PR然后再减为0,如此循环。在每个周期中当出现T1CNT=T1CMPR和T1CNT=T2CMPR时,则相应的PWM波就会发生电平转换。每一个周期中,当T1CNT=0时会产生下溢中断,当T1CNT=T1PR时会产生周期中断。由此,当发生下溢中断和周期中断时我们分别进入中断重新设置比较寄存器T1CMPR和T2CMPR的值就可以改变PWM波发生电平转换的时间,通过改变T1CMPR和T2CMPR之间的差值大小就可以改变两对PWM波的相位差,如此便实现了移相。在试验中我们是固定比较寄存器T1CMPR的值,在每一次周期中断和下溢中断时改变T2CMPR的值来实现移相。通过鉴相器检测光波相位差来实现对外电压的测量。广州磁通门电压传感器发展现状
从持续时间的角度上分类,强磁场可以分为脉冲强磁场和稳态强磁场。脉冲强磁场可以产生很高的磁场,能为一些科学实验提供所需要的磁场环境。但磁场持续的时间短,且磁场的强度在短时刻内是脉冲尖峰状态。稳态强磁场是持续时间相对较长的磁场,并且磁场的强度时保持相对稳定的状态,但目前的技术条件场强无法做到很高,稳态磁场强度的建设投资大、需求的电源容量大、冷却系统大并且维护成本高。为了一些同时对磁场强度和稳定度都有很高要求的科学实验,我们就需要提供**度、高稳定度的磁场环境,于是结合到上述两种磁场产生的特点,科学家们提出了脉冲平顶磁场。这种磁场在满足磁场强度高的条件下兼顾磁场的稳定性。另外,脉冲平顶磁场可以降低测量的干扰,减小样品产生的涡流。总之,脉冲平顶磁场间距脉冲磁场和稳恒磁场的优点,为一些特殊要求的实验提供了研究的环境。广州磁通门电压传感器发展现状传感器是能够感知或识别特定类型的电信号或光信号并对其作出反应的装置。
本项目逆变桥臂上有4个开关管,对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种,以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动,因为相对于分立元件构成的驱动电路,集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块,并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962,如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路,可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT, 采用快速型光耦合器实现电气隔离,输入输出隔离电压高达 2500V。
在电路的控制环节,设计了硬件控制电路并编写了相应的控制程序。硬件电路基于DSP控制芯片,主要由电源模块、采样及A/D转换模块、DSP控制模块、PWM输出模块、驱动电路模块构成。在程序方面,本文着重对移相脉波产生的方式、PID反馈控制的策略进行了研究,同时也完成了信号采集、模数转换、保护控制等模块的程序编写和调试。然后按照补偿电源的参数要 求,选择了基于 TMS320F2812(DSP)的移相全桥变换电路作为补偿电源的拓扑结 构。讨 论了长脉冲高稳定磁场的研究意义、发展现状和现今的难点,基于存在的问题提出 了对强磁场电源系统的优化, 提出了补偿电源的方案。差和高的耐压值,另外,高压侧与低压侧没有隔离,存在安全隐患;
输出滤波电感参数计算:在移相全桥变换器中,原边的交流方波经过高频变压器和全桥整流后,得到的是高频直流方波,方波的频率是原边开关频率的2倍。一般来说,为了减小输出电流的脉动值,是希望滤波电感的值越大越好。但是电感值过大意味着电感的体积和重量增大,并且整个变换器的动态响应速度会变慢。在工程计算中,一般取输出滤波电感电流的比较大脉动值为输出电流的20%。通过滤波电感的电流为 60A,电流时单向流动的,具有较大的直流分量并叠加有 一个较小的频率为2fs 的交变分量,所以电感磁芯的比较大工作磁密可以取到较高值。 由于滤波电感上电流主要为直流分量,集肤效应影响不是很大,因此可以选用线径 较大的导线或厚度较大的扁铜线绕制,只要保证导电面积足够即可。***即是根据 导线线径核算磁芯的窗口面积是否合适,经过反复核算直到选择出合适的磁芯。电压传感器可以确定、监测和测量电压的供应。国产替代电压传感器
按测量原理来分可以分为电阻分压器、电容分压器、电磁式电压互感器、电容式电压互感器、霍尔电压传感器等。广州磁通门电压传感器发展现状
在产生移相脉波时,计时器的计时都有一个固定的时基,计时器以时基为参考点开始计数,当比较寄存器中的值和设定值相等就会产生一个比较中断。由此机理,移相角的改变有两种方法:1)不断改变时基;2)不断更新比较值。DSP比较寄存器处于增减计数模式,一般时基是固定的。由于增减计数模式中每一个周期都会产生一个周期中断和下溢中断,于是我们可以利用这两个中断将设定值重置来实现另外一对PWM波的移相。超前桥臂上一对互补PWM波由比较单元1产生,对应的比较寄存器为T1CMPR,即为比较寄存器1的设定值,计数寄存器为T1CNT。滞后桥臂上一对互补的PWM波由比较单元2产生,对应的比较寄存器为T2CMPR,即为比较寄存器2的设定值,为了保证参考坐标的一致性,比较单元2和比较单元1共用同一个计数寄存器。广州磁通门电压传感器发展现状