EVG®510键合机特征 独特的压力和温度均匀性 兼容EVG机械和光学对准器 灵活的设计和配置，用于研究和试生产 将单芯片形成晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选的涡轮泵（<1E-5mbar） 可升级用于阳极键合 开室设计，易于转换和维护 生产兼容 高通量，具有快速加热和泵送规格 通过自动楔形补偿实现高产量 开室设计，可快速转换和维护 200mm键合系统的蕞小占地面积：0.8m2 程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容 技术数据 蕞/大接触力 10、20、60kN 加热器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸单芯片100毫米 真空 标准：0.1毫巴 可选：1E-5mbar 同时，EVG研发生产的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。吉林键合机键合精度
EVG®850DB自动解键合机系统全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆特色技术数据在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。特征在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片自动清洗解键合晶圆程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面适用于不同基板尺寸的桥接工具功能模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量技术数据晶圆直径（基板尺寸）高达300毫米高达12英寸的薄膜面积组态解键合模块清洁模块薄膜裱框机选件ID阅读多种输出格式高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理 吉林键合机价格怎么样键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用实用的技术。
业内主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种黏合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。奥地利的EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有2000多拥有多年晶圆键合经验的员工，同时，GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。根据型号和加热器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。
EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）EVG键合机晶圆加工服务包含如下： ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。
BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。EVG501键合机：桌越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。河南进口键合机
晶圆键合系统EVG501适用于学术界和工业研究。吉林键合机键合精度
长久键合系统 EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场geming。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供蕞/佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或gao级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 吉林键合机键合精度
