EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。EVG810 LT键合机联系电话
EVG®510键合机特征 独特的压力和温度均匀性 兼容EVG机械和光学对准器 灵活的设计和配置，用于研究和试生产 将单芯片形成晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选的涡轮泵（<1E-5mbar） 可升级用于阳极键合 开室设计，易于转换和维护 生产兼容 高通量，具有快速加热和泵送规格 通过自动楔形补偿实现高产量 开室设计，可快速转换和维护 200mm键合系统的蕞小占地面积：0.8m2 程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容 技术数据 蕞/大接触力 10、20、60kN 加热器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸单芯片100毫米 真空 标准：0.1毫巴 可选：1E-5mbar 天津键合机优惠价格烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。
EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面
EVG键合机加工结果除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的准确的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
EVG®520IS晶圆键合机系统：单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产。EVG520IS单腔单元可半自动操作ZUI大200mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计，具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如独LI的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。特征：全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的键合工艺执行和键合盖移动集成式冷却站可实现高产量选项：高真空能力（1E-6毫巴）可编程质量流量控制器集成冷却技术数据ZUI大接触力10、20、60、100kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准：1E-5mbar可选：1E-6mbar EVG的服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。广东MEMS键合机
晶圆级涂层、封装，工程衬底zhi造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。EVG810 LT键合机联系电话
晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。 EVG810 LT键合机联系电话
