美国TIS(Teledyne Imaging Sensors,TIS)研制的､应用于詹姆斯韦伯空间望远镜(James Webb Space Telescope, JWST)的Hawaii-2RG模块就是由2Kx2K规模的HgCdTe FPA探测器组成的｡第三代IR成像系统的概念一经提出,大家便把目光聚焦于HgCdTe探测器,认为它是实现单像素多色成像目标的**完美的践行者｡事实证明大家的期待是正确的,HgCdTe多色FPA探测器目前已经成为第三代成像系统里的佼佼者｡红外热像仪发展历史可以通过下图来了解。HgCdTe FPA探测器在气象和海洋监视､***侦察､导弹预警以及天文观测等许多方面都有无可替代的重要地位｡红外热像仪的工作距离有限制吗？测玻璃**红外热像仪批发价格
QDIP可视为QWIP红外热像仪的衍生品,将QWIP中的量子阱替代为量子点,便产生了QDIP｡对于QDIP而言,由于对电子波函数进行了三维量子阱约束,因而其暗电流比QWIP低,工作温度比QWIP高｡但QDIP对量子点异质结材料的质量要求很高,制作难度大｡在QDIP里,除使用标准的量子点异质结构外,还常用一种量子阱中量子点(dot-in-a-well, DWELL)异质结构｡QDIPFPA探测器也是第三代IR成像系统的成员之一｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV探测器相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡Optris红外热像仪吹扫器红外热成像仪能够接收红外线，生成红外图像或热辐射图像，并且能够提供精确的非接触式温度测量功能。
红外热像仪可以检测各种类型的物体，包括但不限于以下几种：人体：红外热像仪可以检测人体的热量分布，用于人体热成像、体温检测、医学诊断等应用。建筑和设备：红外热像仪可以检测建筑物和设备的热量分布，用于建筑热效率评估、电气设备故障检测、机械设备运行状态监测等。自然环境：红外热像仪可以检测自然环境中的热量分布，用于气象观测、环境监测、火灾预警等应用。动物：红外热像仪可以检测动物的热量分布，用于野生动物观测、动物行为研究、猎物追踪等应用。汽车和交通：红外热像仪可以检测汽车和交通工具的热量分布，用于车辆故障检测、交通监控、夜视驾驶等应用。
红外热像仪的工作原理是基于物体发出的红外辐射和热量分布。它利用红外传感器和光学系统来捕捉和转换红外辐射成为可见图像。具体来说，红外热像仪包括以下几个关键组件：红外传感器：红外传感器是红外热像仪的主要部件，它能够感知物体发出的红外辐射。红外辐射是物体由于热量而发出的电磁波，其波长范围通常在0.7至1000微米之间。光学系统：红外热像仪的光学系统包括透镜、反射镜和光学滤波器等。透镜用于聚焦红外辐射，反射镜用于将红外辐射反射到红外传感器上，光学滤波器则用于选择特定波长范围的红外辐射。红外图像处理器：红外图像处理器负责接收红外传感器捕捉到的红外辐射信号，并将其转换为可见图像。它会对红外辐射信号进行放大、滤波、调整和处理，以生成高质量的热图像。显示器：红外热像仪通常配备显示器，用于显示红外图像。显示器可以是内置于热像仪本身的屏幕，也可以是通过连接到其他设备上的外部显示器。在线式红外热像仪常常用来与其他监控设备（如我们常见的监控摄像头）联动，组成大规模的监控组网。
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡通过手机完成全部操作，配合移动互联网，将红外热像仪的操作性与便携性上升到了一个全新的高度。德国德图 testo红外热像仪批发价格
红外热像仪使用用户定义的设置对比图像中的温度值，并把温度数据发送至**监测站进行趋势分析，触发警报。测玻璃**红外热像仪批发价格
红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡测玻璃**红外热像仪批发价格
