对有微振控制要求的洁净厂房设计时应考虑:在结构选型、隔振缝设置、壁板与地面及顶棚连接处,应按微振控制要求设计。洁净室与周围辅助性站房内有强烈振动的设备及其连接管道,应采取主动隔振措施。应确定洁净厂房内外各类振源对洁净厂房精密设备、精密仪器仪表位置处的综合振动影响,以决定是否采取被动隔振措施。精密设备、精密仪器仪表的被动隔振设计应具备下列条件:周围振源对其综合影响的振动数据。设备、仪器仪表的型号、规格及轮廓尺寸图。设备、仪器仪表的质量、质心位置及质量惯性矩。设备、仪器仪表的底座外轮廓图、附属装置、管道位置及坑、沟、孔洞尺寸、地脚螺栓及预埋件位置等。设备、仪器仪表的调平要求。设备、仪器仪表的容许振动值。所选用或设计的隔振器或隔振装置的技术参数、外形尺寸及安装条件。厂房设计欢迎联系成都博一医药设计有限公司。成都净化车间设计品牌推荐
洁净室内的新鲜空气量应满足以下条件中的最大值:1.补偿室内排风量和保持室内正压值所需的新鲜空气量之和。2.每人每小时供给洁净室内的新鲜空气量不少于40m3。3.对于1级到5级的单向流洁净室,宜采用集中式真空吸尘系统;对于洁净区的一般清扫,宜采用移动式高效真空吸尘器。洁净室内的吸尘系统管道应暗藏,吸尘口应加盖封堵。洁净室与周围空间之间必须维持一定的压差,并根据生产工艺要求决定维持正压差或负压差。不同等级的洁净室以及洁净区与非洁净区之间的压差应不小于5Pa,洁净区与室外的压差应不小于10Pa。根据洁净室的特点,确定维持不同压差值所需的压差风量可以采用缝隙法或换气次数法。送风、回风和排风系统的启闭应进行联锁控制。正压洁净室的联锁程序为先启动送风机,再启动回风机和排风机;关闭时的联锁程序相反。负压洁净室的联锁程序与正压洁净室相反。成都净化车间设计是干什么的定制厂房设计口碑商家欢迎咨询成都博一医药设计有限公司。
根据《建筑设计防火规范》GB50016-2014,建筑物的耐火等级根据建筑构件(梁、柱、楼板、墙等)的燃烧性能和耐火极限一般分为四个等级。而一般医药化工厂房设施和仓库都是甲、乙、丙为主。因此需要根据原有厂房设计图纸,准确判定其原有耐火等级是否满足。原则上不去改变原有建筑物的耐火等级设计及使用性质。涉及耐火等级不满足的建筑物时,需重新选定改造地点。因此进行改造时还要注意以下几点,一是构建的保护层是否有脱落和变质,若是有就要加以加固;二是对于原有已经加固的部位,改造前应采用混凝土砂浆层对其进行防火保护;
厂房设计中的平面布局是一个关键的环节,它直接影响到生产效率、工作流程和员工的工作环境。下面是一些建议和指导,帮助您规划厂房的平面布局。确定功能区域:首先,确定厂房内不同的功能区域,例如生产区、仓储区、办公区、设备维修区等。每个功能区域应该有明确的目标和需求。流程优化:在规划平面布局时,要考虑生产流程的优化。将生产线或工作站按照产品的生产流程进行布置,使得物料和信息的流动更加顺畅,减少物料搬运和等待时间。空间利用率:合理利用厂房的空间是非常重要的。考虑使用垂直空间,例如利用高架货架或吊装设备来存放物料,以节省地面空间。同时,要确保设备和工作区域之间有足够的通道和安全间距。细胞洁净车间欢迎咨询成都博一医药设计有限公司。
有危险的厂房与周围建筑物、构筑物应保持一定的防火间距。如与民用建筑的防火间距不应小于25m,与重要公共建筑的防火间距不应小于50m,与明火或散发火花地点的防火间距不应小于30m。有危险的厂房平面布置比较好采用矩形,与主导风向垂直或夹角不小于45º,以有效利用穿堂风,将性气体吹散,在山区,宜布置在迎风山坡一面且通风良好的地方。防爆厂房宜单独设置。如必须与非防爆厂房贴邻时,只能一面贴邻,并在两者之间用防火墙或防爆墙隔开。相邻两厂房之间不应直接有门相通,以避免冲击波的影响。有危险的设备尽量避开厂房的梁、柱等承重结构。防爆厂房内的高大设备应布置在厂房中间,矮小设备应靠外墙门窗布置,以免挡风。有危险的厂房、库房,宜采用单层建筑。实验室设计推荐成都博一医药设计有限公司。四川中药饮片洁净车间设计
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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠的半导体车间,这种车间温度不宜超过25度,湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在精密装置或电路中,就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。成都净化车间设计品牌推荐