在同一个温度，测温的红外波长越大，发射率就越小，反之，测量的波长越小，发射率就越大。(注意，这个规律只是针对金属或钢铁来说的，不适合其它材料，其它材料有其它材料的发射率规律，比如玻璃则反之)。发射率表提供的往往是一个发射率范围，你无法准确确认发射率的值，也就是发射率设置经常会有误差，而且有时误差还特别大而且，**重要的一点就是：除了黑体以外，实际物体的发射率值往往在一个范围里，而不是一个固定的值，比如上图中的哈氏合金在1μm时，发射率值是；同样，铁、钢材，也是如此，比如不锈钢在1μm时发射率为，而在8-14μm时发射率是。换言之，在这个范围里，提供的发射率表很多都是一个范围，而不是一个确定的值，在这个范围里，谁也弄不清到底具体发射率值是多少，所以你如何确切地设定发射率呢？又如何确保发射率没有误差呢？所以，发射率误差1%~10%是应用红外测温仪、红外热像仪中非常常见的、经常发生的。红外热像仪是如何工作的？上海红外热像仪高性价比
红外热像仪是一种利用红外辐射进行非接触式温度测量的设备。其工作原理基于物体发出的红外辐射能量与其表面温度之间的密切关系。红外热像仪通过接收物体发出的红外辐射，经过光电转换、信号处理等步骤，将红外辐射能量分布转换为可视化的热图像。红外热像仪的种类繁多，可以根据不同的应用场景和需求进行分类。例如，有的红外热像仪适用于工业领域，用于监测设备的运行状态和温度分布；有的则适用于医疗领域，用于辅助医生进行疾病诊断；还有的适用于安防领域，用于夜间监控和隐蔽目标的探测。中低温红外热像仪性能红外热像仪及可应对井下严苛环境，严密监视井上井下状态，助力客户安全生产、提高效率，降低成本。
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡
红外热像仪的使用人们经常询问红外热像仪在特定情况下的使用情况以及该技术在特定环境或应用中的有效性。我们来看看问题。为什么红外热像仪在夜间表现更好？红外热像仪通常在夜间表现更好，但这与周围环境的亮度无关。由于夜间的环境温度（重要的是未加热物体和环境中心的温度）比白天低很多，热成像传感器可以以更高的对比度显示温暖的区域。即使在凉爽的日子里，太阳的热量也会被建筑物、道路、植被、建筑材料等吸收。白天，各种物体都会在环境温度下吸收热量。使用热像仪传感器进行检测时，这些物体与其他待检测的温暖物体之间的差异不是很明显。红外热像仪的图像可以保存和分享吗？
热电堆又叫温差电堆，它利用热电偶串联实现探测功能，是较为古老的一种IR探测器。以前，热电堆都是基于金属材料制备的，具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势，不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展，半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高，而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度，降低其热容量，因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入，让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。红外热像仪不拘泥于局部，根据全身代谢温度的比较根据临床反应来判断筛查人体的疾病。中高温红外热像仪性能
红外热像仪的优缺点是什么？上海红外热像仪高性价比
但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！上海红外热像仪高性价比
