一般而言,所谓的T2SLS探测器都是基于砷化铟(InAs)/锑化镓(GaSb)材料制作的｡InAs/GaSb T2SLS是一个由InAs和GaSb薄层交替构筑的多量子阱交互作用体系,该结构中InAs与GaAs的能带以II类方式对准｡这种能带续接方式可引发强有力的载流子隧穿现象,使该结构适用于MIR和LWIR探测｡理论预言在LWIR波段的性能T2SLS探测器的性能有望超过QWIP和HgCdTe探测器,然而在实验中,T2SLS探测器的暗电流仍处于较高的水平,远远达不到预期目**24x1024规模的T2SLS FPA探测器已研制成功,彰显了这种探测器的巨大潜力｡与前面几种探测器一样,T2SLS FPA探测器也是第三代红外热像仪系统的成员之一红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。高温红外热像仪质保
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美国TIS(Teledyne Imaging Sensors,TIS)研制的､应用于詹姆斯韦伯空间望远镜(James Webb Space Telescope, JWST)的Hawaii-2RG模块就是由2Kx2K规模的HgCdTe FPA探测器组成的｡第三代IR成像系统的概念一经提出,大家便把目光聚焦于HgCdTe探测器,认为它是实现单像素多色成像目标的**完美的践行者｡事实证明大家的期待是正确的,HgCdTe多色FPA探测器目前已经成为第三代成像系统里的佼佼者｡红外热像仪发展历史可以通过下图来了解。HgCdTe FPA探测器在气象和海洋监视､***侦察､导弹预警以及天文观测等许多方面都有无可替代的重要地位｡
由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速｡在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美｡QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度)，QWIP的量子效率普遍很低｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡红外热像仪的电池寿命如何？
但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！红外热像仪能***的监控、测温、分析模具表面温度，对于企业和压铸工程师都是一个不错的选择。中波红外热像仪试用
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红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡高温红外热像仪质保
