(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡红外热像仪与普通相机有何不同？腔体式红外热像仪量大从优
红外热像仪的工作距离是有限制的。红外热像仪的工作距离取决于其焦距和像素分辨率。一般来说，红外热像仪的工作距离在几米到几十米之间。在工作距离范围内，红外热像仪可以提供较为准确的温度测量结果。然而，当距离目标过远或过近时，红外热像仪的测量精度可能会受到影响。如果距离目标过远，红外热像仪可能无法准确地捕捉到目标的细节和温度变化，从而导致测量误差增加。此外，目标与红外热像仪之间的距离过远还可能导致环境因素的影响增加，如大气散射和辐射能量的衰减。另一方面，如果距离目标过近，红外热像仪的视场角可能会变得较小，无法覆盖目标的整个区域，从而导致测量结果不准确。德国进口红外热像仪量大从优因此，红外热像仪是变电站设备无人值守监控时的选择。
晶格失配度比较低时，红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm，此时探测器所能达到的探测率是比较高的，接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能，InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视，其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带，有利于夜间观测目标物体的发射，因此在高空侦察方面有重要的应用价值，如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。
红外热像仪的电池寿命因设备型号、使用条件和电池容量等因素而异。一般来说，红外热像仪的电池寿命可以在几个小时到几十个小时之间。红外热像仪通常使用可充电电池，如锂离子电池或镍氢电池。电池寿命取决于多个因素，包括红外热像仪的功耗、工作模式、环境温度和使用频率等。在高功耗模式下，红外热像仪的电池寿命可能较短，而在低功耗模式下，电池寿命可能更长。此外，低温环境也可能影响电池的性能和寿命。为了延长红外热像仪的电池寿命，可以采取以下措施：在不使用时，关闭红外热像仪以节省电池能量。根据需要选择合适的工作模式，避免不必要的功耗消耗。在低温环境下使用红外热像仪时，保持电池温暖，可以使用保温套或加热装置。定期检查电池的状态和健康状况，及时更换老化或损坏的电池。红外热像仪可检测的目标数量与镜头大小、红外像素、目标物体大小、检测距离等因素有关。
红外热像仪的操作相对来说并不复杂，但需要一定的学习和熟悉过程。以下是一般红外热像仪的操作步骤：打开红外热像仪：通常有一个开关或按钮，按下开关或按钮即可打开设备。调整显示设置：红外热像仪通常具有不同的显示模式和设置选项，可以根据需要调整亮度、对比度、色彩等参数。焦距调整：根据观察距离和目标大小，调整红外热像仪的焦距，以确保获得清晰的图像。观察目标：将红外热像仪对准目标，观察热图显示。可以通过移动设备或调整视角来获取图像。分析和解读图像：根据红外热像仪显示的热图，分析和解读目标的热分布情况。可以根据需要进行测温、标记、保存图像等操作。关闭红外热像仪：使用完毕后，按下开关或按钮关闭设备。红外热像仪无需光线即可生成图像，能够在设备过热或隔热层。双通道红外热像仪用途
采用专业测温型机芯，外部加装双光防爆型护罩的红外热像仪，确保机芯的准确性和安全性。腔体式红外热像仪量大从优
铅盐探测器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半导体材料制作的PC探测器,它们中的PbS探测器早在二战期间就已经投入到***的实际应用之中｡直至现在,红外热像仪因其低廉的生产成本与室温下优良的灵敏度等优势,这类探测器仍占据着一定比例的商用市场,许多**制造商对此均有涉足,如美国CalSensors､NewEngland Photodetectors､Thorlabs､TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本滨松(Hamamatsu)等｡然而,由于银盐材料的介电常数很高,这类探测器的响应速度比一般的光子探测器都要慢,这一劣势很大程度上限制了相应的大规模FPA探测器的发展,截至2014年,铅盐FPA探测器像元达到了320x256中等规模｡腔体式红外热像仪量大从优
