XM5082ADJ电源管理ICNTC充电管理

芯纳科技：锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WL电池电压＜涓流截止电压时，执行涓流充电。XM5082ADJ电源管理ICNTC充电管理

锂电池保护IC通常具有以下功能：电池电压监测：监测锂电池的电压，当电压过高或过低时，保护IC会采取相应的措施，如切断电池与负载的连接，以防止电池过充或过放。电池电流监测：监测锂电池的充放电电流，当电流超过设定的安全范围时，保护IC会限制电流或切断电池与负载的连接，以防止过流。温度监测：监测锂电池的温度，当温度过高时，保护IC会采取措施，如限制电流或切断电池与负载的连接，以防止过热。短路保护：当锂电池与负载之间发生短路时，保护IC会立即切断电池与负载的连接，以防止电池过放或过热。均衡充电：对于多节锂电池组，保护IC可以监测和控制每个电池节的电压，以确保各个电池节之间的电压均衡，避免电池过充或过放。PD协议多串锂电池保护IC、带均衡或者不带均衡。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。

DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源，结合外部的温敏电阻（NTC），用于监测应用系统中关键元件的温度，并根据温度动态调整输出功率。实际应用中，NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近，例如，芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻，可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号（例如，负载电流），高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号（例如，输出电压），并配置了窗口比较功能，可以根据检测结果做出快速反应。支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为 5V。

DS3056B 是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理 SOC，集成了微处理器、同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计，I2C 通信等功能模块及显示驱动、安全保护等功能单元，支持 2-6 串电芯，上限 100W 的充电功率，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1，PD3.0，QC3.0、AFC、BC1.2、DCP 等主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。搭载极简的周围线路，即可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了高效的锂电池充电管理模块，根据输入电源电压和电池电压自动匹配充电方式。XB5352AR电源管理IC上海如韵

变更连接在 BFSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压。XM5082ADJ电源管理ICNTC充电管理

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXM5082ADJ电源管理ICNTC充电管理