当同时连接充电电源和用电设备时,自动进入边充边放模式。在该模式下,芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电,DS6036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上,以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下,开启放电路径给用电设备供电;为了安全考虑,如果VSYS电压大于5.6V,不会开启放电路径。在边充边放过程中,如果拔掉充电电源,DS6036B会关闭充电功能,重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑,同时也为了能够重新使能用电设备请求快充,转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中,如果拔掉用电设备、用电设备充满持续30s时,DS6036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭,状态回到单充电模式时,会重新给移动电源快充。DS6036B 2~6串30~100W方案:支持 2~6节电池串联,支持 30~100W 功率选择。XM5021R18电源管理IC赛芯微xysemi

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同,区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下,功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态,因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压,稳压器就能运作,稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高,因为输出级的阻抗较大,较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系,会耗用额外的电流,增加功耗,在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题,但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用,而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步,这两方面的问题都得以改善。XM5152ADJ电源管理IC两串两节保护多串锂电池保护IC、带均衡或者不带均衡。

DS6036B自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作,可支持无按键模具方案。DS6036B通过内部ADC模块采样每个端口的输出电流,当单个口的输出电流小于约80mA(MOSRds_ON@15mΩ)且持续15s时,会将该输出口关闭。当输出总功率小于约350mW且持续为所有输出口手机已经充满或者拔出,会自动关闭升降压输出。DS6036B内置电量计功能,可准确实现电池电量计算。DS6036B支持3线5灯、支持188数码管显示电量,支持设置电池的初始化容量,利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。当电池端电流检测 CSP1 和 CSN1 引脚采用 5mΩ 检测电阻时,可以准确显示当前电池的容量。同时 DS6036B 支持电量从0%到 100%一次不间断的充电过程自动校准当前电池的总容量,更新显示百分比,更合理地管理电池的实际容量。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路); IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。二合一单晶园锂电池保护IC。

CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围2.7V到6V,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。高耐压带OVP线性充电管理。XB8703I电源管理IC两串两节保护
线性驱动芯片手电筒驱动。XM5021R18电源管理IC赛芯微xysemi
高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时, 将自动终止充电循环。当输入电压 (交流适配器或USB电源)被拿掉时, 自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式,以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。XM5021R18电源管理IC赛芯微xysemi
CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测...