XB6006AE电源管理IC赛芯微xysemi

复合锂电池保护IC 二合一 产品型号：复合锂电池保护IC 复合锂电池保护IC 二合一 目前锂电池的应用，从手机、MP3、MP4、GPS、玩具等便携式设备到需要持续保存数据的煤气表，其市场容量已经达到每月几亿只。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。锂电池保护装置的电路原理如图1所示，主要是由电池保护控制IC和外接放电开关M1以及充电开关M2来实现。当P+/P-端连接充电器，给电池正常充电时，M1、M2均处于导通状态；当控制IC检测到充电异常时，将M2关断终止充电。当P+/P-端连接负载，电池正常放电时，M1、M2均导通；当控制IC检测到放电异常时，将M1关断终止放电。变更连接在 BFSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压。XB6006AE电源管理IC赛芯微xysemi

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XB5606A电源管理IC芯纳科技高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台。

当同时连接充电电源和用电设备时，自动进入边充边放模式。在该模式下，芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电，DS6036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上，以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下，开启放电路径给用电设备供电；为了安全考虑，如果VSYS电压大于5.6V，不会开启放电路径。在边充边放过程中，如果拔掉充电电源，DS6036B会关闭充电功能，重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑，同时也为了能够重新使能用电设备请求快充，转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中，如果拔掉用电设备、用电设备充满持续30s时，DS6036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭，状态回到单充电模式时，会重新给移动电源快充。

DS5036B上电接入电池时，显示全部点亮5S，在非充电状态，当电池电压过低触发低电关机，DS5036B会进入锁定状态。DS5036B为了降低静态功耗，在电池低电锁定状态下，DS5036B不支持负载插入检测功能，此时按键动作无法开启升降压输出，只能用于查看电量。DS5036B在锁定状态，必须要有充电动作芯片才能有功能。USBC1口或者USBC2有电源插入，优先启动充电。在单充电的模式下，支持自动识别电源的快充模式，匹配合适的充电电压和充电电流。电池电压低于复充门限值，则重新开启电池充电。

锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。内置软启动功能，防止在启动时冲击电流过大引起故障。XLD6031P33电源管理ICNTC充电管理

支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为 5V。XB6006AE电源管理IC赛芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB6006AE电源管理IC赛芯微xysemi