LQFP64TLD5190QVINFINEON英飞凌抱诚守真「深圳市华芯源电子供应」

INFINEON英飞凌基本参数

品牌
Infineon
型号
TLE42764EV50XUMA1
封装形式
DIP,SMD,BGA,QFP,PGA,CSP,MCM,SDIP,QFP/PFP,TSOP,PQFP,PLCC,TQFP,SOP/SOIC
导电类型
双极型,单极型
封装外形
扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
集成度
小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
类型
编码器、解码器,处理器,存储器,单片机,电源模块,仿真器,放大器,逻辑IC,稳压IC,通信IC,时钟计时IC,射频IC,驱动IC,其他IC
产品说明
产品批号：22+ 23+
应用领域
3C数码,可穿戴设备,照明电子,智能家居,汽车电子,安防设备,测量仪器,电工电气,网络通信,机械设备,家用电器,新能源,**/航天,医疗电子
厂家
Infineon

INFINEON英飞凌企业商机

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TC4428AEOATC4427EPATC4427EOATC4426EOATC4424EPATC428EOATC427EOATC1427COATC1410NEOATC1044SEOASPX29300T-5.0SN75LVDS83BDGGRSN75LBC184PSN75LBC184DRSN75LBC176DRSN75LBC176ADRSN75HVD3082EDRSN75C188DRSN75ALS176BDRSN75453BDRSN75452BPSN75451BPSN75451BDRSN75189ADRSN75188DRSN75176BDRSN75175DRSN75174DWRSN75158DRSN74LVCH16245ADGGRSN74LS47NSN74LS165ADRSN7407DRSN7406DRSN65LVDS32DRSN65LVDS31DRSN65LBC184DRSN65LBC182DRSN65HVDA195QDRQ1SN65HVDA100QDRQ1SN65HVD888DRSN65HVD82DRSN65HVD78DRSN65HVD75DRSN65HVD72DRSN65HVD485EDRSN65HVD3085EDRSN65HVD3082EDRSN65HVD231DRSN65HVD1785DRSN65HVD1781DRSN65HVD1780DRSN65HVD12DRSN65HVD11DRSN65HVD10DRSN65HVD1050DRSN65HVD1040DRSN65C3243PWRSN65C3232EDRSN65C3221EPWRSN65C1168NSRSN65176BDRSG3525ADWR2GREF5050IDRREF5050AIDRREF5030AIDRREF5025AIDRREF1004I-2.5REF1004I-1.2REF1004C-2.5REF1004C-1.2REF02CPREF02BUREF02AURC4580IDRPQ20VZ51SOT23-8INFINEON英飞凌批量价格INFINEON英飞凌均衡器芯片组集成电路。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™MOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上***款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。英飞凌**率系列IGBT7模块有多香？。

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