徐州低温漂电流传感器案例

两个磁传感器11、12之中的一个磁传感器11配置在与具有流过电流i的两个流路21、22的汇流条2中的第2流路22相比更靠近第1流路21的位置。另一个磁传感器12配置在与第1流路21相比更靠近第2流路22的位置。由此，在两个磁传感器11、12输入彼此反相的信号磁场b1、b2，能够使电流的检测时的s/n(信号-噪声)比良好。(实施方式2)在实施方式2中，关于具有根据温度来调整输出信号的功能的电流传感器，利用图7进行说明。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器1a的结构的框图。在本实施方式涉及的电流传感器1a中，在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中(参照图2)，还具备温度检测部34、传感器调整部35和运算调整部36。上述各部34、35、36例如设置于电流传感器1a的运算装置3a。温度检测部34例如是半导体温度传感器，对周围的温度进行检测。温度检测部34的种类没有特别限定，例如，可以使用热敏电阻、热电偶、线性正温度系数电阻器、铂测温电阻体等。传感器调整部35例如包含磁传感器11、12的电源电压vdd等的调整电路。根据传感器调整部35，例如两个磁传感器11、12的磁电变换增益以及/或者偏移(或者中点电位)等被适当调整为在容许误差的范围内相同。在一次侧的额定值的条件下，可获得电流传感器的精度。徐州低温漂电流传感器案例

是例示实施方式1涉及的电流传感器1的外观的立体图。图2是表示本实施方式涉及的电流传感器1的结构的框图。例如，如图1所示，电流传感器1安装于汇流条2。汇流条2是在长度方向(y方向)上流过电流传感器1的检测对象的电流i的导体的一例。以下，将汇流条2的宽度方向设为x方向，将长度方向设为y方向，将厚度方向设为z方向。如图2所示，本实施方式涉及的电流传感器1具备两个磁传感器11、12和运算装置3。电流传感器1利用两个磁传感器11、12对流过汇流条2的电流i所产生的信号磁场进行感测，并由运算装置3来算出电流i的检测结果。汇流条2在y方向上的中途的一部分被分支为两个流路21、22。电流传感器1配置在第1以及第2流路21、22间。第1流路21位于比电流传感器1更靠+z侧，第2流路22位于比电流传感器1更靠-z侧。如图1中例示的那样，若电流i在汇流条2中沿+y朝向流动，则分流到第1流路21和第2流路22。分流后的各个电流在第1流路21和第2流路22双方中沿+y朝向流动。在电流传感器1中，两个磁传感器11、12例如在x方向上排列配置。磁传感器11和磁传感器12分别在第1流路21附近和第2流路22附近配置在基于电流i的信号磁场彼此反相分布的区域(参照图4)。各磁传感器11、12例如包含磁阻元件。 济南磁调制电流传感器出厂价留有一定余量，以避免损坏传感器。

对两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33间的连接关系以及基于运算装置3的运算方法的一例进行了说明。本实施方式涉及的电流传感器不特别限定于此，也可以采用各种各样的连接关系以及运算方法。以下，关于电流传感器的变形例，利用图8～10进行说明。图8示出变形例1涉及的电流传感器1b的结构。本变形例的电流传感器1b在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中，变更了两个磁传感器11、12和第1以及第2运算部31、32间的连接关系。如图8所示，在本变形例的电流传感器1b中，第1运算部31在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2p的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1m的输出端子连接。此外，第2运算部32在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2m的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1p的输出端子连接。第1～第3运算部31～33基于所输入的信号，进行与实施方式1同样的运算。通过以上的电流传感器1b，也能够与实施方式1的电流传感器1同样地降低外部磁场的影响。在本变形例中，磁传感器12是第1磁传感器的一例，传感器信号s2p是第1传感器信号的一例，传感器信号s2m是第2传感器信号的一例。此外，磁传感器11是第2磁传感器的一例。

    额定有效值）I1相对应的输出电流（额定有效值）I2。假如要将I2变换成U0=5V，RM选择详见表1－1。霍尔电流传感器电流计算编辑从图1－3可知输出电流I2的回路是：V+→末级功放管集射极→N2→RM→0，回路等效电阻如图1－6。（V-～0的回路相同，电流相反）当输出电流I2**大值时，电流值不再跟着I1的增加而增加，我们称为传感器的饱和点。按下式计算I2max=V+-VCES/RN2+RM式中：V+－正电源（V）。VCES－功率管集射饱和电压，（V）一般为。RN2－副边线圈直流内阻（Ω），详见表，1－2。RM－测量电阻（Ω）。从计算可知改变测量电阻RM，饱和点随之也改变。当被测电阻RM确定后，也就有了确定的饱和点。根据下式计算出**大被测电流I1max：I1max=I1/I2·I2max在测量交流或脉冲时，当RM确定后，要计算出**大被测电流I1MAX，如果I1max值低于交流电流峰值或低于脉冲幅值，将会造成输出波形削波或限幅现象，此种情况可将RM选小一些来解决。霍尔电流传感器举例说明编辑电压传感器原边与副边抗电强度≥4000VRMS（），用以测量直流、交流、脉冲电压。在测量电压时，根据电压额定值，在原边+HT端串一限流电阻，即被测电压通过电阻得到原边电流U1/R1=I1、R1=U1/10mA（KΩ）。避免长时间过载运行，以免损坏放大器管或磁补偿类型产品。

    通过如上述那样抑制第1以及第2运算部31、32的偏差，从而能够将电动势的同相分量在第3运算部33中消除，能够提高电流传感器1中的交流的外部磁场耐性。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中，例如被布线为**短以使得不产生环形布线。由此，能够提高交流的外部磁场耐性，能够使电流传感器1的检测精度良好。此外，运算装置3也可以包含用于实现电流传感器1的各种各样的功能的各种半导体集成电路等。例如，运算装置3也可以包含设计为实现给定功能的**的电子电路、能够重构的电子电路等的硬件电路。此外，运算装置3也可以包含例如与软件协作来实现给定功能的cpu等。运算装置3也可以包含闪存等内部存储器，也可以在内部存储器中保存各种数据以及程序等。运算装置3也可以由cpu、mpu、微型计算机、dsp、fpga、asic等各种各样的半导体集成电路构成。1-1.关于磁传感器关于电流传感器1中的磁传感器11、12的结构的详情，利用图3进行说明。两个磁传感器11、12同样地构成。以下，对一个磁传感器11进行说明。图3是例示电流传感器1中的磁传感器11的结构的电路图。在图3的例子中，磁传感器11包含四个磁阻元件13a～13d，构成惠斯通桥电路。适用于交流和直流测试。扬州工控级电流传感器定制

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