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通过如上述那样抑制第1以及第2运算部31、32的偏差，从而能够将电动势的同相分量在第3运算部33中消除，能够提高电流传感器1中的交流的外部磁场耐性。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中，例如被布线为**短以使得不产生环形布线。由此，能够提高交流的外部磁场耐性，能够使电流传感器1的检测精度良好。此外，运算装置3也可以包含用于实现电流传感器1的各种各样的功能的各种半导体集成电路等。例如，运算装置3也可以包含设计为实现给定功能的**的电子电路、能够重构的电子电路等的硬件电路。此外，运算装置3也可以包含例如与软件协作来实现给定功能的cpu等。运算装置3也可以包含闪存等内部存储器，也可以在内部存储器中保存各种数据以及程序等。运算装置3也可以由cpu、mpu、微型计算机、dsp、fpga、asic等各种各样的半导体集成电路构成。1-1.关于磁传感器关于电流传感器1中的磁传感器11、12的结构的详情，利用图3进行说明。两个磁传感器11、12同样地构成。以下，对一个磁传感器11进行说明。图3是例示电流传感器1中的磁传感器11的结构的电路图。在图3的例子中，磁传感器11包含四个磁阻元件13a～13d，构成惠斯通桥电路。新能源领域：在太阳能、风能等新能源领域。青岛交直流电流传感器厂家现货

    2倍的过载电流持续时间不得超过1分钟。（2）电压传感器必须按产品说明在原边串入一个限流电阻R1，以使原边得到额定电流，在一般情况下，2倍的过压持续时间不得超过1分钟。（3）电流电压传感器的**佳精度是在原边额定值条件下得到的，所以当被测电流高于电流传感器的额定值时，应选用相应大的传感器；当被测电压高于电压传感器的额定值时，应重新调整限流电阻。当被测电流低于额定值1/2以下时，为了得到**佳精度，可以使用多绕圈数的办法。（4）绝缘耐压为3KV的传感器可以长期正常工作在1KV及以下交流系统和，6KV的传感器可以长期正常工作在2KV及以下交流系统和，注意不要超压使用。（5）在要求得到良好动态特性的装置上使用时，**好用单根铜铝母排并与孔径吻合，以大代小或多绕圈数，均会影响动态特性。（6）在大电流直流系统中使用时，因某种原因造成工作电源开路或故障，则铁心产生较大剩磁，是值得注意的。剩磁影响精度。退磁的方法是不加工作电源，在原边通一交流并逐渐减小其值。（7）传感器抗外磁场能力为：距离传感器5～10cm一个超过传感器原边电流值2倍的电流，所产生的磁场干扰可以抵抗。三相大电流布线时，相间距离应大于5～10cm。。长沙霍尔电流传感器单价随着科学技术的不断进步，未来还将有更新的技术和产品出现。

即使假设例如由于第1以及第2运算部31、32间的温度偏差等而各个增益a1、a2产生了偏差，也不对外部磁场耐性造成影响，由此能够提高电流的检测精度。此外，还能够缓和关于各运算部31、32的制造偏差的要求规格等，谋求电流传感器1的低成本化。3.总结如以上那样，本实施方式涉及的电流传感器1基于由检测对象的电流i产生的信号磁场b1、b2对电流i进行检测。电流传感器1具备第1磁传感器的一例的磁传感器11、第2磁传感器的一例的磁传感器12、第1运算部31、第2运算部32、和输出部的一例的第3运算部33。磁传感器11对磁场进行感测，生成第1传感器信号的一例的传感器信号s1p以及第2传感器信号的一例的传感器信号s1m。磁传感器12对与磁传感器11根据电流i而感测的信号磁场b1反相的磁场b2进行感测，生成第3传感器信号的一例的传感器信号s2m以及第4传感器信号的一例的传感器信号s2p。第1运算部31输入传感器信号slp以及传感器信号s2m，对所输入的各信号进行给定的运算来生成第1运算信号so1。第2运算部32输入传感器信号s1m以及传感器信号s2p，对所输入的各信号进行给定的运算来生成第2运算信号so2。第3运算部33部输入第1运算信号so1以及第2运算信号so2。

两个磁传感器11、12之中的一个磁传感器11配置在与具有流过电流i的两个流路21、22的汇流条2中的第2流路22相比更靠近第1流路21的位置。另一个磁传感器12配置在与第1流路21相比更靠近第2流路22的位置。由此，在两个磁传感器11、12输入彼此反相的信号磁场b1、b2，能够使电流的检测时的s/n(信号-噪声)比良好。(实施方式2)在实施方式2中，关于具有根据温度来调整输出信号的功能的电流传感器，利用图7进行说明。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器1a的结构的框图。在本实施方式涉及的电流传感器1a中，在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中(参照图2)，还具备温度检测部34、传感器调整部35和运算调整部36。上述各部34、35、36例如设置于电流传感器1a的运算装置3a。温度检测部34例如是半导体温度传感器，对周围的温度进行检测。温度检测部34的种类没有特别限定，例如，可以使用热敏电阻、热电偶、线性正温度系数电阻器、铂测温电阻体等。传感器调整部35例如包含磁传感器11、12的电源电压vdd等的调整电路。根据传感器调整部35，例如两个磁传感器11、12的磁电变换增益以及/或者偏移(或者中点电位)等被适当调整为在容许误差的范围内相同。电流传感器必须根据被测电流的额定有效值选择不同规格的产品。

    基于传感器调整部35的调整也可以不特别依赖于温度检测部34的检测结果。运算调整部36例如包含对第3运算部33的增益a3进行调整的增益调整电路。运算调整部36基于温度检测部34对温度的检测结果，对第3运算部33的增益a3进行调整，使得对输出信号sout进行温度补偿。在此基础上或者取而代之，运算调整部36还可以对第1以及/或者第2运算部31、32的增益a1、a2进行调整。此外，运算调整部36也可以包含对第1～第3运算部31～33的偏移进行调整的偏移调整电路等。如以上那样，本实施方式涉及的电流传感器1a还具备温度检测部34和作为调整部的一例的运算调整部36。温度检测部34对周围的温度进行检测。运算调整部36根据由温度检测部34检测出的温度，对输出信号sout进行调整。由此，能够抑制相对于周围的温度的电流传感器sorut的温度变动，能够使电流传感器1a对电流的检测精度良好。此外，电流传感器1a中的调整部不限于运算调整部36，例如也可以是传感器调整部35。例如，也可传感器调整部35基于温度检测部34的检测结果来进行各磁传感器11、12的调整，从而对输出信号sout进行调整。(其他实施方式)在上述的各实施方式1、2中。20世纪80年代，霍尔效应电流传感器问世。武汉工控级电流传感器服务电话

留有一定余量，以避免损坏传感器。青岛交直流电流传感器厂家现货

    图5是用于说明实施方式1涉及的电流传感器的动作的图。图6是用于说明电流传感器中的外部磁场耐性的图。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器的结构的框图。图8是表示电流传感器的变形例1的结构的框图。图9是表示电流传感器的变形例2的结构的框图。图10是表示电流传感器的变形例3的结构的框图。图11是表示流过被电流传感器检测的电流的导体的变形例1的图。图12是表示流过被电流传感器检测的电流的导体的变形例2的图。具体实施方式以下，参照附图对本发明涉及的电流传感器的实施方式进行说明。各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在实施方式2以后，省略关于与实施方式1共同的事项的记述，*针对不同点进行说明。特别是，关于同样的结构所产生的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。(实施方式1)在实施方式1中，提供一种在基于由检测对象的电流产生的磁场(以下称为“信号磁场”)来检测电流的电流传感器中能够确保外部磁场耐性的电流传感器。外部磁场耐性是使得电流的检测结果不会由于与信号磁场分开地从外部施加的外部磁场的影响而变动的耐性。1.结构关于实施方式1涉及的电流传感器的结构，利用图1、2进行说明。青岛交直流电流传感器厂家现货

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