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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 301特征

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

单面清洁刷(选件)

用于晶圆清洗的稀释化学品

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程


选件

带有红外检查的预键合台

非SEMI标准基材的工具


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯 EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。吉林BONDSCALE键合机

吉林BONDSCALE键合机,键合机

EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


官方键合机推荐厂家EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。

吉林BONDSCALE键合机,键合机

EVG®501 晶圆键合机(系统)

■   研发和试生产的**/低

购置成本

■   真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量

■   强劲的压力和温度均匀性

■   自动键合和数据记录

■   高真空键合室

(使用真空涡轮增压泵,低至10-5

mbar)

■   开放式腔室设计,可实现快速转换和维护

■   Windows®操作软件和控制界面

■   **小占地面积的200 mm键合系统,只有 0.88 m2

EVG®510 晶圆键合机(系统)

■   拥有EVG®501键合机的所有功能

■   150和200mm晶圆的单腔系统

■   研发和试生产的**/佳购置成本

■   强劲的压力和温度均匀性

■   通过楔形补偿实现高产量

■   兼容EVG的HVM 键合系统

■   高产量,加速加热和优异的泵送能力

EVG ® 301单晶圆清洗系统,属于研发型单晶圆清洗系统。

技术数据

EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站,该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速,毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能,是一种多功能的研发型系统,适用于灵活的清洁程序和300

mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸,从而可以轻松设置不同的工艺。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。

吉林BONDSCALE键合机,键合机

EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850

LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。 EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。EVG320键合机推荐厂家

烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。吉林BONDSCALE键合机

    Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 吉林BONDSCALE键合机

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