是德科技直流电源E36312A/E36313A配有数据记录仪功能，可以同时记录所有三个通道直流输出的数据，并显示到大彩色显示屏上和保存到文件中。是德科技直流电源测量会按照采样周期来进行，采样周期可通过编程设为200ms至60秒。对于每个直流输出，可以记录电压测量、电流测量结果,或两者同时记录。每个读数都是经过积分处理后的电压或电流测量结果。是德科技直流电源*大数据记录文件约为7MB。要开始记录数据，需要一个外部USB存储设备。是德科技直流电源数据记录的显示画面可保存为PNG或BMP文件，以便在报告中使用。记录的数据也可以保存下来，以便日后查看；另外也可以导出至CSV文件。是德科技直流电源E36312A/E36313A内置了一个电池供电的实时时钟，可为记录的数据加上正确的时间标记，也可用来标记文件的正确创建日期。电网直流电源系统继电保护探讨。精密直流电源
直流电源中的非静电力是由负极指向正极的。当直流电源与外电路接通后，在电源外部（外电路），由于电场力的推动，形成由正极到负极的电流。而在电源内部（内电路），非静电力的作用则使电流由负极流到正极，从而使电荷的流动形成闭合的循环。直流电源的用途1、电解电容器老练，钽电容器赋能2、电阻器、继电器，马达等电子元件老练，例行试验3、实验室，电子设备、自动测试设备4、电子检验设备、生产流水线设备、通讯设备5、其它一切需要使用直流电源的场合 带反馈的直流电源数控直流电源的设计数控直流电源的设计。
1 引言 高频开关是德科技直流电源模块中所使用的大功率开关器件价格较贵，其控制电路亦比较复杂，另外，开关电源的负载一般都是用大量的集成化程度很高的器件安装的电子系统。晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能力较差。因而开关电源模块的保护应该兼顾其本身和负载的安全。保护电路的种类很多，这里介绍极性保护、程序保护、过电流保护、过电压保护、欠电压保护以及过热保护等电路。通常选用几种保护方式加以组合，构成完善的保护系统。 2 极性保护 是德科技直流电源模块开关稳压器的输入一般都是未稳压是德科技直流电源，由于操作失误或者意外情况会将其极性接错，此时将会损坏开关稳压电源。极性保护的目的就是使开关稳压器jin当以正确的极性接上未稳压是德科技直流电源时才能工作。利用单向导通器件可以实现电源的极性保护。*简单的极性保护电路如图1所示。由于二极管D流过开关稳压器的输入总电流，因此这种电路应用在小功率的开关稳压器上比较合适。在较大功率的场合，则把极性保护电路作为程序保护中的一个环节，可以省去极性保护所需的大功率二极管，功耗也将减小。为了操作方便，便于识别极性开关正确与否。
1、二极管防反接电路 通常情况，是德科技直流电源防反接保护电路*简单节省成本的方式就是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护这种方式简单可靠，成本低，但是不适合低电压和大电流。 二极管具有正向电压降，压降范围为0.7V~3V，对于低电压而言可能不适用，分压后可能导致负载电压不够。 二极管的耐压很高，但是过电流能力有限，当输入大电流的情况下功耗影响非常大，若输入电流额定值达到3A，一般二极管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝3A×0.7V＝2.1W，损耗这么大，这样效率必定低，且发热量大，要加散热器。这就不划不来了。 所以这种只能用在小电流，要求不高的电路中。 2、桥式整流管防反接电路 桥式整流管是由4个二极管组成，不论输入电源正负怎么接，输出极性都是正常的，桥式整流同时有两个二极管导通，不再对电源的极性有要求，实现了电源的任意接法，这时*大的优点，但是功耗是单个二极管防反接电路的2倍。若当输入电流为3A时，Pd＝3A×0.7V×2＝4.2W，更要加散热片了。成本更高，不实用。 一款高性能直流稳压电源的设计与实现。
3、MOS管防反接电路 MOS管是一种压控型的半导体器件，可以分为P-MOS和N-MOS，其内阻很小（压降小），可利用其开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路。 P-MOS管防反接电路的导通条件是栅极和源极之间的电压VGS<0时导通，否则截止，利用P-MOS管防电源反接时，P-MOS管接在高侧，即靠近电源正极一侧，N-MOS管防反接电路的导通条件是栅极和源极之间的电压VGS>0时导通，否则截止，利用N-MOS管防电源反接时，N-MOS管接在低侧，即靠近电源负极一侧，与P-MOS管相比，N-MOS管导通电阻小且价格相对更便宜，*好选N-MOS管。直流电源的设计LC滤波电源精华版。24直流电源
可调直流稳压电源在损坏时应该检查哪些？精密直流电源
电涌的危害 电涌是用电设备无法避免的问题，只要有电的地方，就会有电涌。无论是外部电涌还是内部电涌都是电气sha手，会干扰电子设备，降低性能及过早老化，甚至直接破坏设备。 简单例子说明，打雷时电脑死机或电视的音质和画质突然下降等现象都是受到外部电涌的干扰影响；而有时候复印机开启后突然瘫痪无法再运作，是因为半导体器件承受不了机器内部负载间的高达千伏的瞬态电涌高压被击穿，导致设备损坏。 电涌危害中以雷击浪涌过电压危害*大，雷电是导致电涌*明显的因素，雷击引起的电涌可分为（1）感应雷击电涌过电压；（2）直接雷击电涌过电压；（3）雷击传导电涌过电压；（4）震荡电涌过电压四大类。以上电涌现象都会产生极高的瞬间过电压，对电气设备特别是低压电气设备、微电子设备造成巨大的冲击和损坏。 精密直流电源
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