EVG ® 620 NT特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和转换工具
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 620 NT附加功能：
键对准
红外对准
SmartNIL
µ接触印刷技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：比较大150毫米的碎片
柔软的UV-NIL：比较大150毫米的碎片
SmartNIL ®：在100毫米范围
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
对准：
软NIL：≤±0.5 µm
SmartNIL ®：≤±3微米
自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部：SmartNIL ®：支持
EV Group提供混合和单片微透镜成型工艺，能够轻松地适应各种材料组合，以用于工作印模和微透镜材料。湖北掩模对准纳米压印
纳米压印应用二：面板尺寸的大面积纳米压印
EVG专有的且经过大量证明的SmartNIL技术的***进展，已使纳米图案能够在面板尺寸比较大为Gen 3（550 mm x 650 mm）的基板上实现。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。 NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济、高 效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为**小的结构提供比较好的图案保真度。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。
福建碳化硅纳米压印NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法。
它为晶圆级光学元件开发、原型设计和制造提供了一种独特的方法，可以方便地接触***研发技术与材料。晶圆级纳米压印光刻和透镜注塑成型技术确保在如3D感应的应用中使用小尺寸的高 分辨率光学传感器供应链合作推动晶圆级光学元件应用要在下一代光学传感器的大众化市场中推广晶圆级生产，先进的粘合剂与抗蚀材料发挥着不可取代的作用。开发先进的光学材料，需要充分地研究化学、机械与光学特性，以及已被证实的大规模生产（HVM）的可扩展性。拥有在NIL图形压印和抗蚀工艺方面的材料兼容性，以及自动化模制和脱模的专业知识，才能在已验证的大规模生产中，以**小的形状因子达到晶圆级光学元件的比较好性能。材料供应商与加工设备制造商之间的密切合作，促成了工艺流程的研发与改善，确保晶圆级光学元件的高质量和制造的可靠性。EVG和DELO的合作将支持双方改善工艺流程与产品，并增强双方的专业技能，从而适应当前与未来市场的要求。双方的合作提供了成熟的材料与专业的工艺技术，并将加快新产品设计与原型制造的速度，为双方的客户保驾护航。“NILPhotonics解决方案支援中心的独特之处是：它解决了行业内部需要用更短时间研发产品的需求，同时保障比较高的保密性。
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。EVG的纳米压印光刻（NIL） - SmartNIL ® 是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。
纳米压印应用三：连续性UV纳米压印
EVG770是用于步进重复纳米压印光刻的通用平台，可用于有效地进行母版制作或对基板上的复杂结构进行直接图案化。这种方法允许从比较大50 mm x 50 mm的小模具到比较大300 mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。与钻石车削或直接写入方法相结合，分步重复刻印通常用于高 效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的SmartNIL工艺所需的母版。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA是自动化的全场域纳米压印解决方案，适用于第3代基材。湖北掩模对准纳米压印
IQ Aligner®是EVG的可用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统。湖北掩模对准纳米压印
IQ Aligner UV-NIL特征：
用于光学元件的微成型应用
用于全场纳米压印应用
三个**控制的Z轴，可在印模和基材之间实现出色的楔形补偿
三个**控制的Z轴，用于压印抗蚀剂的总厚度变化（TTV）控制
利用柔软的印章进行柔软的UV-NIL工艺
EVG专有的全自动浮雕功能
抵抗分配站集成
粘合对准和紫外线粘合功能
IQ Aligner UV-NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：150至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：柔软的UV-NIL，镜片成型
曝光源：汞光源
对准：≤±0.5微米
自动分离：支持的
前处理：涂层：水坑点胶（可选）
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
湖北掩模对准纳米压印
