印刷线路板超纯水设备典型工艺流程
预处理-反渗透系统-中间水箱-粗混合床-精混合床-纯水箱-纯水泵-紫外线杀 菌器-抛光混床-精密过滤器-用水对象(≥18MΩ.CM)(传统工艺)
预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀 菌器-抛光混床-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象(≥18MΩ.CM)(新工艺)
预处理-一级反渗透-加药机(PH调节)-中间水箱-第二级反渗透(正电荷反渗透膜)-纯水箱-纯水泵-EDI装置-紫外线杀 菌器-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象(≥17MΩ.CM)(新工艺)
预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯水箱-纯水泵-紫外线杀 菌器-0.2或0.5μm精密过滤器-用水对象(≥15MΩ.CM)(新工艺)
预处理-反渗透系统-中间水箱-纯水泵-粗混合床-精混合床-紫外线杀 菌器-精密过滤器-用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)
反渗透系统采用质量进口RO膜。具有极强筛分作用,它的性能极其稳定。福建高纯水设备配件
反渗透水处理设备系统的压差监控应根据恒定流量进行控制
主要工艺流程如下:
废水预处理→原水箱→多介质过滤器→活性炭过滤器→保安过滤器→RO→除盐水箱→用水点
反渗透系统在化工运行管理中的运行控制
1、压差
反渗透系统的压差监控应根据恒定流量进行控制,在化学清洗完成后,其一段压差应当返回到0.15MPa左右,在正常运行的过程中,一段压差的值应当确保在0.01MPa以下,若提高到0.01MPa以上,应当及时检查问题原因,并开展短时化学清洗以确保压差恢复到正常值;保安过滤器的压差应当控制在0.1MPa的范围以内,一般情况下其压差的增加会非常不明显,而显示压差增长过快时通常就需要对保安过滤器的滤芯进行更换;隔网压差通常保持在0.03MPa,若压差出现异常上升则表明隔网出现堵塞,此时应当将隔网拆洗进行清理和检查,并对堵塞物进行分析; 宁夏纯水设备工艺以防止反渗透膜结垢,预处理功能强大,自保护好,对各类杂质去除效率也较高。
电子产品的精密元件在制造的时候有时需要用水进行清洗或者是冷却,这就要求用水不能含有任何的导电物质,否则会出现元件损坏,所以也就造成了该行业对超纯水的极度需求。因而,超纯水设备在电子制造行业使用比较普遍。
超纯水设备工艺主要有三大类,其他的工艺基本上都是在这三大类的基础上进行不同结合搭配衍生出来的。现在将这三种工艺的优缺点列于此。
1、EDI电子超纯水设备采用的第一种工艺主要使用离子交换树脂,优点显示在投入资金少,占用的地方不是很大,但缺点也非常明显,必须经常进行再生,对环境有一定的破坏。
2、第二种工艺使用反渗透技术作为预处理装置技术,这个工艺缺点比上一种工艺还要严重,初期的投入资金比上一种高出很多,优点就是EDI电子超纯水设备再生时间间隔相对要长,对环境同样有一定的污染性。
3、第三种工艺同样是采用反渗透作装置作为预处理设备,第三种方法这是现如今制取超纯水经济、环保用来制取超纯水工艺,不必进行设备再生处理,并且周围环境基本无污染。但是其缺点在于资金投入方面相对以上两种方式还是过于高。
二、巴氏消毒:是指将液体加热到一定温度并持续一段时间,以杀死可能导致疾病、变质或不需要的发酵微生物的过程。巴氏消毒有两个主要功能:①用于纯化水系统中的活性炭等预处理单元的周期性消毒,RO/EDI单元的周期性消毒,以及储存与分配管网单元的周期性消毒;②用于注射用水系统正常运行时的微生物控制。
三、化学消毒:化学消毒是指用化学消毒药物作用于微生物和病原体,使其蛋白质变性,失去正常功能而死亡。目前常用的有含氯消毒剂、氧化消毒剂、碘类消毒剂、醛类消毒剂、杂环类气体消毒剂、酚类消毒剂、醇类消毒剂、季胺类消毒剂等。
纯净水设备一旦处理不合理会导致设备的膜性能下降,严重可能导致不能使用。
良好的纯化水设备系统是经过一体化三维设计、人机工程学人性化设计以及模块化设计的,支持自动化控制,高效匹配企业的纯化水用水需求,更方便操作和维护,系统运作费用相对低,具有经济实用、节能环保的特点。目前,纯化水设备系统主要应用于生物制药、体外诊断试剂、医疗器械等行业。
纯化水设备常用的三种工艺,分别为预处理+双级RO工艺、预处理+单级RO+EDI工艺、预处理+双级RO+EDI工艺。客户根据原水水质来选择生产工艺,通常南方原水的电导率及硬度较好,可不采用EDI工艺,而北方原水的电导率及硬度偏高,可采用增加EDI工艺,来确保纯化水产水的水质。
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树脂罐:软化水装置罐体材料分为玻璃钢、碳钢、不锈钢。福建高纯水设备配件
超纯水设备在光伏行业晶体管的应用
在光伏行业晶体管、集成电路生产中,纯水主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低,III族元素 (B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化,V族素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化,水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20%~50%) 会使P型硅片上的局部区域变化为N型硅而导致器件性能变坏。水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。 福建高纯水设备配件